[发明专利]光阑挡片装置、边缘曝光镜头与光刻系统

说明书

本发明提供了一种光阑挡片装置、边缘曝光镜头与光刻系统，所述光阑挡片装置，包括：制作于一透明基底的第一偏光层、制作于另一透明基底的第二偏光层、第一电极部、第二电极部与液晶层；所述第一偏光层、所述第一电极部、所述液晶层、所述第二电极部与所述第二偏光层沿目标方向依次间隔设置；所述第一偏光层的偏光方向为第一方向，所述第二偏光层中设有透光区域，所述透光区域的偏光方向为第二方向，所述第二偏光层中其余部分的偏光方向为所述第一方向，所述第一方向与所述第二方向间呈90度；所述第一电极部与所述第二电极部的尺寸和形状，均与所述透光区域的外边缘匹配。本发明起到调制透光区域边缘处的光强的作用，进而通过调制解决半影缺陷。

技术领域

本发明涉及光刻领域，尤其涉及一种光阑挡片装置、边缘曝光镜头与光刻系统。

背景技术

边缘曝光是半导体工艺中不可或缺的重要工艺，用于去除光刻胶的涂胶边缘区，以提高芯片良率及减少材料消耗。

然而，由于衍射、远心、杂散光等光学因素，会造成光刻胶边缘区的曝光能量与正常曝光区不一致，进而导致光刻胶边缘曝光机曝光后在曝光区的光刻胶边缘会出现色差、变黑、龟裂等工艺缺陷问题，其均可理解为半影缺陷。

发明内容

本发明提供了一种光阑挡片装置、边缘曝光镜头与光刻系统，以解决半影缺陷的问题。

根据本发明的第一方面，提供了一种光阑挡片装置，包括：制作于一透明基底的第一偏光层、制作于另一透明基底的第二偏光层、第一电极部、第二电极部与液晶层；所述第一偏光层、所述第一电极部、所述液晶层、所述第二电极部与所述第二偏光层沿目标方向依次间隔设置；

所述第一偏光层的偏光方向为第一方向，所述第二偏光层中设有透光区域，所述透光区域的偏光方向为第二方向，所述第二偏光层中其余部分的偏光方向为所述第一方向，所述第一方向与所述第二方向间呈90度；所述第一电极部与所述第二电极部的尺寸和形状，与所述透光区域的至少部分外边缘匹配。

可选的，若所述光阑挡片装置用于对硅片上光刻胶的涂胶边缘区进行曝光，且曝光时所述硅片被驱动绕其轴心旋转，则：

所述第一电极部与所述第二电极部沿所述目标方向在所述第二偏光层的投影覆盖所述透光区域的第一边缘位置，所述第一边缘位置为曝光时所述透光区域中最靠近所述轴心和/或最远离所述轴心的位置。

可选的，若所述光阑挡片装置用于对硅片上光刻胶的涂胶边缘区进行曝光，且所述硅片被驱动绕其轴心旋转，则：

所述第一电极部与所述第二电极部呈轴对称形状，且在进行曝光时，所述轴对称结构的对称轴与所述硅片的直径共面。

可选的，所述轴对称图形为越靠近所述轴心尺寸越小的图形。

可选的，所述第一电极部与所述第二电极部为框结构。

可选的，所述透光区域的外边缘为矩形外边缘。

可选的，所述第一电极部与所述第二电极部均为矩形框的结构。

可选的，所述矩形框的各边的沿长度方向的中心线围合形成矩形形状，所述矩形形状与所述矩形外边缘的尺寸、形状相同。

可选的，所述矩形框的各边的宽度相同。

可选的，所述第一电极部包括互相平行的两个第一电极条，所述第二电极部包括互相平行的两个第二电极条。

可选的，所述透光区域的外边缘为矩形外边缘，所述两个第一电极条的沿长度方向的两条中心线间的距离为第一距离；所述两个第二电极条的沿长度方向的两条中心线间的距离为第二距离；所述第一距离、所述第二距离，以及所述矩形外边缘对应的边的长度均相同。

可选的，各所述第一电极条与各所述第二电极条的宽度均相同。