[发明专利]一种适用于宽电源电压范围的参考电压产生电路

权利要求书

1.一种适用于宽电源电压范围的参考电压产生电路，包括：

初始参考电压产生电路，用于产生初始参考电压Vref；

电容分压电路，用于产生电容基准电压Vcap；

第一开关，用于在上电时或复位操作后给所述初始参考电压产生电路和电容分压电路供电；

复位电路，用于当检测到电源电压许可信号LVE频繁切换时将所述初始参考电压产生电路和电容分压电路复位；

复位电路延时控制电路，用于在电源电压在低电压和高电压间频繁切换导致电源电压许可信号LVE频繁切换时产生切换检测信号LVEd以控制所述复位电路动作；

第二开关，用于在所述初始参考电压Vref建立后需要刷新参考电压时将所述初始参考电压产生电路的分压输出即初始参考电压Vref；

第三开关，用于刷新参考电压前打开初始参考电压产生电路产生Vref，并在刷新操作完成后关断；

其中，所述初始参考电压产生电路包括第一电阻R1、第二电阻R2、二极管D1、第三NMOS管N3和第一PMOS管P1；

电源电压通过所述第一开关连接至由所述第一电阻R1的一端、电容分压电路输入端、第一PMOS管P1的源极、复位电路输入端相连组成的第一参考电压VF节点，所述第一电阻R1的另一端与第一PMOS管P1的漏极和第二电阻R2的一端相连，第二电阻R2的另一端与所述第三NMOS管N3的栅极、二极管D1的阳极、第二开关S2的一端以及复位电路的输出端相连组成所述初始参考电压Vref节点，所述二极管D1的阴极连接至所述第三NMOS管N3的漏极，第三NMOS管N3的源极通过第三开关S3接地，第一PMOS管P1的栅极连接至互补电源电压许可信号LVEb；

所述电容分压电路包括第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3和第二PMOS管，所述第一电容C1的一端、第三电容C3的一端组成电容分压电路的输入端连接至所述第一参考电压VF节点，所述第三电容C3的另一端连接至第二PMOS管P2的源极，所述第一电容C1的另一端与第二电容C2的一端、第二PMOS管P2的漏极和第二开关S2的另一端相连组成电容基准电压Vcap节点，所述第二PMOS管P2的栅极连接至所述互补电源电压许可信号LVEb。

2.如权利要求1所述的一种适用于宽电源电压范围的参考电压产生电路，其特征在于：所述复位电路包括第一NMOS管N1和第二NMOS管N2。

3.如权利要求2所述的一种适用于宽电源电压范围的参考电压产生电路，其特征在于：所述第一NMOS管N1的漏极连接至所述第一参考电压VF节点，第一NMOS管N1的源极与第二NMOS管N2的漏极相连组成复位电路的输出端连接至所述初始参考电压Vref节点，第一NMOS管N1的栅极和第二NMOS管N2的栅极连接至切换检测信号LVEd。

4.如权利要求3所述的一种适用于宽电源电压范围的参考电压产生电路，其特征在于：所述复位电路延时控制电路包括跳变检测电路和延时电路。

5.如权利要求4所述的一种适用于宽电源电压范围的参考电压产生电路，其特征在于：电源电压许可信号LVE连接至所述跳变检测电路的输入端，跳变检测电路的输出端连接至所述延时电路的输入端，延时电路的输出端即切换检测信号LVEd连接至所述第一NMOS管N1的栅极和第二NMOS管N2的栅极。

6.如权利要求1所述的一种适用于宽电源电压范围的参考电压产生电路，其特征在于：所述复位电路用于当检测到电源电压许可信号LVE频繁切换时将初始参考电压产生电路和电容分压电路复位并使输出参考电压为0。

7.如权利要求3所述的一种适用于宽电源电压范围的参考电压产生电路，其特征在于：所述参考电压产生电路通过第一PMOS管P1和第二PMOS管P2的通断控制，实现在不同电压范围下，调节初始参考电压产生电路中电阻的比例以及电容分压电路中电容比例，产生稳定的初始参考电压Vref，同时产生相应比例的电容基准电压Vcap，以在不同电压时均能减小初始参考电压Vref向电容基准电压Vcap的充电时间，从而快速建立电容基准电压Vcap。