[发明专利]一种直流供电的保护电路在审

专利信息
申请号: 201711230654.3 申请日: 2017-11-29
公开(公告)号: CN107769186A 公开(公告)日: 2018-03-06
发明(设计)人: 黄建新;杨梓 申请(专利权)人: 深圳微步信息股份有限公司
主分类号: H02H11/00 分类号: H02H11/00;H02H3/20
代理公司: 深圳市徽正知识产权代理有限公司44405 代理人: 李想
地址: 518000 广东省深圳市南山区*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 直流 供电 保护 电路
【权利要求书】:

1.一种直流供电的保护电路,其特征在于,包括:

接口,用于与外部的适配器连接,接收适配器输出的直流电;

反插保护模块,用于在接口与适配器接反时断开,在接口与适配器正常连接时导通;

开关模块;

过压保护模块,用于在接口输入的直流电电压高于预设值时,将开关模块断开;

所述过压保护模块的输出端连接开关模块的控制端;

所述接口通过反插保护模块连接开关模块的一端,所述开关模块的另一端连接负载;或者,所述接口通过开关模块连接反插保护模块的输入端,所述反插保护模块的输出端连接负载。

2.如权利要求1所述的直流供电的保护电路,其特征在于,还包括用于提供浪涌保护和降低瞬间电流冲击的缓冲模块,所述缓冲模块的输入端连接反插保护模块的输出端,所述缓冲模块的输出端连接开关模块的控制端。

3.如权利要求1所述的直流供电的保护电路,其特征在于,所述反插保护模块包括第一PMOS管;所述第一PMOS管的漏极为反插保护模块的输入端,连接所述接口;所述第一PMOS管的源极为反插保护模块的输出端,连接开关模块的一端;所述第一PMOS管的栅极接地。

4.如权利要求1所述的直流供电的保护电路,其特征在于,所述过压保护模块包括可控精密稳压源、第一电阻和第二电阻;所述第一电阻的一端为过压保护模块的输入端,连接反插保护模块的输出端;所述第一电阻的另一端连接可控精密稳压源的输入端,并通过第二电阻接地;所述可控精密稳压源的输出端为过压保护模块的输出端,连接开关模块的控制端。

5.如权利要求2所述的直流供电的保护电路,其特征在于,所述缓冲模块包括第一电容、第三电阻和第四电阻;所述第三电阻的一端为缓冲模块的输入端,连接反插保护模块的输出端;所述第三电阻的另一端连接第四电阻的一端、第一电容的一端和开关模块的控制端;所述第四电阻的另一端和第一电容的另一端均接地。

6.如权利要求5所述的直流供电的保护电路,其特征在于,所述开关模块包括第一晶体管、第二晶体管和第五电阻;所述第一晶体管的第一极为开关模块的一端,连接反插保护模块的输出端;所述第一晶体管的第二极为开关模块的另一端,连接负载;所述第一晶体管的控制极通过第五电阻连接第二晶体管的第二极;所述第二晶体管的控制极为开关模块的控制端,连接过压保护模块的输出端和第一电容的一端;所述第二晶体管的第一极接地。

7.如权利要求6所述的直流供电的保护电路,其特征在于,所述缓冲模块还包括第二电容和第六电阻;所述第二电容的一端连接第三电阻的一端和第六电阻的一端;所述第二电容的另一端连接第一晶体管的控制极和第六电阻的另一端。

8.如权利要求6所述的直流供电的保护电路,其特征在于,所述第一晶体管为第二PMOS管,所述第二PMOS管的源极为第一晶体管的第一极,所述第二PMOS管的漏极为第一晶体管的第二极,所述第二PMOS管的栅极为第一晶体管的控制极。

9.如权利要求6所述的直流供电的保护电路,其特征在于,所述第二晶体管为NMOS管,所述NMOS管的源极为第二晶体管的第一极,所述NMOS管的栅极为第二晶体管的控制极,所述NMOS管的漏极为第二晶体管的第二极。

10.如权利要求1所述的直流供电的保护电路,其特征在于,所述可控精密稳压源的型号为TL431。

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