[发明专利]半导体器件

说明书

本发明提供一种半导体器件，其解决在将电压设定表存储于非易失性存储器的存储器区域的情况下该区域会增大的课题。半导体器件具备存储器装置、和控制所述存储器装置的控制装置。所述存储器装置由非易失性存储器元件构成，具备存储改写所需的设定信息的存储器、具有第一寄存器及改写结束标志的第一控制电路、和生成改写电压的电源电路。所述控制装置具备具有改写开始标志的第二控制电路、基于所述改写开始标志及所述改写结束标志来测量改写电压施加时间的计数器、基于所述改写电压施加时间来存储下一改写电压的第二寄存器。所述控制装置在接收到改写所述存储器的指令的情况下，读出所述存储器内的改写所需的设定信息，对所述第一寄存器进行回写。

技术领域

本公开涉及半导体器件，可适用于内置例如快闪存储器等可电改写的非易失性存储器装置的半导体器件。

背景技术

目前，作为存储有程序或数据的器件，广泛使用作为可电改写的非易失性存储器装置之一的快闪存储器。快闪存储器是通过使改写时施加的电压比读取时的电压高而能够多次进行存储内容的擦除/写入的存储器元件。即，对存储器元件施加脉冲状的电压，在栅极绝缘膜流通电流而向存储器元件注入电子、或引出电子，由此进行改写。

像这样，快闪存储器由于在每次进行改写时都需要向栅极绝缘膜流过电流，所以本质上无法避免劣化。因此，快闪存储器具有在存储器元件的劣化进展时无法进行改写，改写次数有限的特征。因此，在改写时，对存储器元件以适宜的脉冲宽度施加适宜的脉冲电压的技术至为重要。

国际公开第2014/033851号(专利文献1)中公开有“在半导体器件中，在进行基于带间隧穿方式的数据擦除时，在电荷泵电路的输出电压恢复至规定的基准电压这一条件的基础上，还满足开始将升压电压向作为擦除对象的存储器单元供给之后经过了规定的基准时间这一条件时，结束向作为擦除对象的存储器单元供给升压电压”。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2014/033851号

但是，为了实现专利文献1的技术，需要对针对每一个周期设定的电荷泵电路的输出电压值或存储栅极电压值等进行擦除时的电压设定表。若详细地决定设定电压，则表规模会扩大。在将该表存储于快闪存储器等非易失性存储器的存储器区域的情况下，该区域会增大。

发明内容

其它课题和新的特征将根据本说明书的记载及附图变得明了。

本公开中，若简单地说明代表性的内容概要，则如下。

即，半导体器件测量非易失性存储器的改写电压施加时间，基于测量时间决定下次的改写电压。

发明效果

根据上述半导体器件，能够降低改写电压表的大小。

附图说明

图1是用于说明实施方式的非易失性存储器装置的结构及动作的框图。

图2是表示擦除电压的波形的图。

图3是表示电源电路的电荷泵电路的电压－电流特性的图。

图4是用于说明擦除时间的上限设定的图。

图5是表示实施例的半导体器件的结构的框图。

图6A是示意性表示存储器单元的结构的剖视图。

图6B是表示存储器单元的电路图记号的图。

图7A是表示程序脉冲施加动作时的状态的图。

图7B是表示擦除脉冲施加动作时的状态的图。

图7C是表示读出动作时的状态的图。

图7D是表示程序校验动作时的状态的图。