[发明专利]一种集成有光电转换模块的智能手机在审
申请号: | 201711226323.2 | 申请日: | 2017-11-29 |
公开(公告)号: | CN108011998A | 公开(公告)日: | 2018-05-08 |
发明(设计)人: | 李国强 | 申请(专利权)人: | 李国强 |
主分类号: | H04M1/02 | 分类号: | H04M1/02;H01L31/074 |
代理公司: | 深圳市精英专利事务所 44242 | 代理人: | 冯筠 |
地址: | 528100 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 集成 光电 转换 模块 智能手机 | ||
1.一种集成有光电转换模块的智能手机,其特征在于:包括手机显示屏、主板、后盖,所述主板包括主板本体且主板本体的一侧设置有CPU插槽,CPU插槽内设置有CPU供电底板且CPU插槽的一侧设置有CPU供电口;主板本体的一端设置有主板接电口;CPU插槽的一侧设置有温度监测器且温度监测器的一侧设置有电量分配器,所述后盖上集成有光电转换模块,所述光电转换模块包括背电极、P型单晶硅衬底、P型单晶硅纳米柱阵列、N型氧化锌层以及上电极层,所述P型单晶硅纳米柱阵列和所述N型氧化锌层形成径向异质PN结。
2.根据权利要求1所述的集成有光电转换模块的智能手机,其特征在于:所述背电极的材质为银、铝或银铝合金,所述背电极的厚度为50‐100纳米。
3.根据权利要求1所述的集成有光电转换模块的智能手机,其特征在于:所述P型单晶硅衬底的厚度为100‐200微米、所述P型单晶硅纳米柱阵列的单个P型单晶硅纳米柱的长度为2‐8微米,所述P型单晶硅纳米柱的直径为500‐800纳米,相邻P型单晶硅纳米柱的间距为1‐3微米。
4.根据权利要求1所述的集成有光电转换模块的智能手机,其特征在于:所述N型氧化锌层的厚度为50‐200纳米。
5.根据权利要求1所述的集成有光电转换模块的智能手机,其特征在于:所述上电极的材质为铜、银、铝中的一种或多种,所述上电极的厚度为10‐20纳米。
6.根据权利要求1所述的集成有光电转换模块的智能手机,其特征在于:所述CPU插槽的边侧设置有无机散热层。
7.根据权利要求1所述的集成有光电转换模块的智能手机,其特征在于:所述主板本体的两侧设置有热熔柱。
8.根据权利要求1所述的集成有光电转换模块的智能手机,其特征在于:所述主板本体的两端设置有卡槽且所述卡槽的一侧设置有U型槽。
9.根据权利要求1所述的集成有光电转换模块的智能手机,其特征在于:所述温度监测器电性连接所述电量分配器;所述主板接电口电性连接所述电量分配器且所述电量分配器电性连接所述CPU供电口,所述CPU供电口电性连接所述CPU供电底板。
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