[发明专利]一种减少单晶高温合金截面突变处杂晶形成的方法在审
| 申请号： | 201711223372.0 | 申请日： | 2017-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN108080603A | 公开（公告）日： | 2018-05-29 |
| 发明（设计）人： | 杨院生;冯小辉;李应举;罗天骄;韩小伟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | B22D27/02 | 分类号： | B22D27/02;C30B30/02;C30B29/52 |
| 代理公司： | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人： | 张志伟 |
| 地址： | 110016 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 截面突变处 单晶高温合金 直流电流 过冷 定向凝固过程 施加 电阻率差异 金属材料 单晶组织 定向生长 均匀致密 生长过程 一致性好 固/液相 焦耳热 结构件 散热 边部 晶形 偏聚 取向 熔体 铸件 凝固 铸造 生长 | ||
1.一种减少单晶高温合金截面突变处杂晶形成的方法，其特征在于，通过在单晶高温合金铸件定向凝固过程中施加直流电流，消除其截面突变处的杂晶，获得组织完整性良好的单晶高温合金铸件；将单晶高温合金母合金熔体注入经预热的模壳或模具，模壳或模具固定于水冷盘上，在下拉装置的带动下缓慢下移，实现定向凝固，在此过程中施加直流电流以控制截面突变处的局部温度场，直至整个铸件完全凝固，最终制得截面突变处无杂晶或少杂晶的单晶高温合金铸件。
2.按照权利要求1所述的减少单晶高温合金截面突变处杂晶形成的方法，其特征在于，直流电流作用下单晶高温合金铸件制备时，电流密度为20～200A/cm
3.按照权利要求1所述的减少单晶高温合金截面突变处杂晶形成的方法，其特征在于，直流电流作用下单晶高温合金铸件制备时，处理开始时熔体过热温度20～100℃。
4.按照权利要求1所述的减少单晶高温合金截面突变处杂晶形成的方法，其特征在于，直流电流作用下单晶高温合金铸件制备时，模壳或模具预热温度1000～1200℃。
5.按照权利要求1所述的减少单晶高温合金截面突变处杂晶形成的方法，其特征在于，直流电流作用下单晶高温合金铸件制备时，水冷盘下移速度20～200μm/s。
6.按照权利要求1所述的减少单晶高温合金截面突变处杂晶形成的方法，其特征在于，该方法用于不同结构单晶高温合金铸件的制备。
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