[发明专利]电容器组件

说明书

本发明提供一种电容器组件。所述电容器组件包括：基板；主体，设置在所述基板的上表面的一个区域上，并具有多孔结构；以及电容器部，包括形成在所述主体的所述多孔结构上的第一电极、介电层和第二电极。所述第一电极和所述第二电极分别延伸到所述基板的所述上表面的其他区域。

本申请要求于2017年3月27日在韩国知识产权局提交的第10-2017-0038371号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。

技术领域

本公开涉及一种电容器组件。

背景技术

电容器可安装在诸如显示装置(包括液晶显示器(LCD)、等离子体显示面板(PDP)等)、计算机、智能电话、移动电话等的各种电子产品的印刷电路板上，以用于对其充电或从其放电。近来，诸如智能电话、可穿戴装置等的便携式信息技术(IT)产品已经变薄。因此，使无源元件变薄以减小整个封装件的厚度的必要性已经增大。

根据这种趋势，对更薄的薄膜电容器的需求已经增大。薄膜电容器的优点在于可使用薄膜技术来实现薄的电容器。此外，与根据现有技术的多层陶瓷电容器不同，薄膜电容器的优点在于其具有低的等效串联电感(ESL)，使得已经考虑将薄膜电容器应用为用于应用处理器的去耦电容器。为了将薄膜电容器用作如上所述的用于应用处理器(AP)的去耦电容器，已经以焊盘侧(land-side)电容器的形式制造薄膜陶瓷电容器。

同时，为了增大受限空间内的电容器的电容，已经开发了沟道式电容器(trenchtype capacitor)。这样的沟道式电容器通过在硅基板中形成沟道，然后形成电容器结构的方法来制造。如上所述的沟道式电容器适于增大电极的表面面积以增大电容，但存在需要复杂的半导体工艺技术的问题，并且考虑到满足耐受电压条件的电介质厚度，难以在沟道中形成多个电介质，使得难以实现超高电容。

发明内容

本公开的一方面可提供一种能够通过使用具有与沟道式电容器相比表面面积增大的基板而实现超高电容并且能够在不使用半导体工艺的情况下有效地制造的电容器组件。

根据本公开的一方面，一种电容器组件可包括：基板；主体，设置在所述基板的上表面的一个区域上，并具有多孔结构；以及电容器部，设置在所述主体的所述多孔结构上，并包括第一电极、第二电极以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的介电层。所述第一电极和所述第二电极分别延伸到所述基板的所述上表面的其他区域。

所述第一电极可涂覆在所述主体的表面上。

所述介电层可涂覆在所述第一电极的表面上。

所述第二电极可涂覆在所述介电层的表面上。

所述第一电极和所述第二电极的延伸到所述基板的所述上表面的所述其他区域的部分可分别形成第一端电极和第二端电极。

所述电容器组件还可包括分别设置在所述第一端电极和所述第二端电极上的第一镀覆电极和第二镀覆电极。

所述第一镀覆电极和所述第二镀覆电极可比所述主体高。

所述基板和所述主体可由陶瓷形成。

所述主体可具有多个颗粒的聚集体形状。

所述基板可具有包围所述主体的隔断壁部。

所述第一电极和所述第二电极可从所述隔断壁部的内侧壁延伸到所述隔断壁部的上表面。

所述电容器组件还可包括分别设置在所述第一端电极和所述第二端电极上的第一镀覆电极和第二镀覆电极。

所述隔断壁部可形成为比所述主体高。

所述电容器组件还可包括覆盖所述主体和所述电容器部的绝缘保护层。

所述主体可主要由陶瓷形成，而部分地包含聚合物成分。