[发明专利]一种西兰花的种植方法在审
申请号: | 201711209059.1 | 申请日: | 2017-11-27 |
公开(公告)号: | CN107821027A | 公开(公告)日: | 2018-03-23 |
发明(设计)人: | 余成荣 | 申请(专利权)人: | 蒲江县樱红缘农业开发有限公司 |
主分类号: | A01G22/00 | 分类号: | A01G22/00;A01B79/02;A01C1/06;A01C1/00 |
代理公司: | 成都华风专利事务所(普通合伙)51223 | 代理人: | 何燕明 |
地址: | 611600 四川省成都*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 兰花 种植 方法 | ||
技术领域
本发明涉及农业种植方法领域,具体而言,涉及一种西兰花的种植方法。
背景技术
西兰花营养丰富,其蛋白质是白菜花的2倍,胡萝卜素的含量高于其他蔬菜,维生素 A含量是白菜花的 240倍,是蕃茄的6倍,钙的含量是蕃茄的 2 倍。西兰花中所含异硫氰酸酯衍生物——萝卜硫素具有很强的抗癌活性。目前西兰花的种植方法存在着产量低以及质量不高的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种西兰花的种植方法,以解决上述问题。
为实现本发明目的,采用的技术方案为:一种西兰花的种植方法,具体包括如下步骤:
(1)选取选择抗病性强、耐低温、丰产性好的品种西兰花种子,并在该西兰花种子中选出饱满、无病虫害的西兰花种子;
(2)将步骤1中选出的西兰花种子放于质量分数为3%的食盐溶液中浸泡清洗20min,然后取出用清水冲洗干净,最后自然晾干,然后在种子中拌入防虫害的农药;
(3)选择土层深厚、有机质含量较高、排灌条件良好、保水保肥力强的地块,并在地块中加入腐熟农家肥100-150份、秸秆粉15-20 份、豆粕16-20份、棉籽粕15-30份、草木灰20-30份、茶叶渣5-10份、果渣6-20份、进口三元复合肥20-40份、过磷酸钙15-30份、硒矿岩10-15份;
(4)将步骤3处理后的地块进行翻耕,翻耕的深度为20~40cm,且向地面浇地底水,接着将种子播入土中,最后向种子表面覆盖一层厚度为0.5-0.8的细土, 并覆盖一层地膜;
(5)播后8-10天撤去地膜,结合浇水中耕除草,当西兰花幼苗长到“三叶一心” 时进行定苗,每穴定留一株苗,去弱留强;
(6)在进入莲座期时追施现蕾肥,并在苗期、生长旺盛期、现蕾期各喷施1次叶面肥;
(7)当花球直径达到10-15cm、表面紧密光滑、小花未开、球体紧实、手感花球边缘的花蕾粒子略有松动时及时采收。
进一步的,所述步骤6中的叶面肥为亚硒酸钠,腐植酸纳,磷酸二氢钾,尿素,钼酸钠,硫酸锰,硫酸亚铁混合制成。
进一步的,所述步骤7中的采收应在早晨进行,将花球连同l0-15cm长的嫩茎一起割下,并带4片叶。
本发明的有益效果是,
通过在翻耕前施加肥料可以改善土壤环境,严格控制种子处理和苗期生长条件,使西兰花壮苗率高,减少抗性药物的使用量,提高西兰花产出的质量和产量,适宜规模化蔬菜种植园进行推广应用。
具体实施方式
下面通过具体的实施例子对本发明做进一步的详细描述。
本发明提供的一种西兰花的种植方法,具体包括如下步骤:
(1)选取选择抗病性强、耐低温、丰产性好的品种西兰花种子,并在该西兰花种子中选出饱满、无病虫害的西兰花种子;
(2)将步骤1中选出的西兰花种子放于质量分数为3%的食盐溶液中浸泡清洗20min,然后取出用清水冲洗干净,最后自然晾干,然后在种子中拌入防虫害的农药;
(3)选择土层深厚、有机质含量较高、排灌条件良好、保水保肥力强的地块,并在地块中加入腐熟农家肥100-150份、秸秆粉15-20 份、豆粕16-20份、棉籽粕15-30份、草木灰20-30份、茶叶渣5-10份、果渣6-20份、进口三元复合肥20-40份、过磷酸钙15-30份、硒矿岩10-15份;
(4)将步骤3处理后的地块进行翻耕,翻耕的深度为20~40cm,且向地面浇地底水,接着将种子播入土中,最后向种子表面覆盖一层厚度为0.5-0.8的细土, 并覆盖一层地膜;
(5)播后8-10天撤去地膜,结合浇水中耕除草,当西兰花幼苗长到“三叶一心” 时进行定苗,每穴定留一株苗,去弱留强;
(6)在进入莲座期时追施现蕾肥,并在苗期、生长旺盛期、现蕾期各喷施1次叶面肥;
(7)当花球直径达到10-15cm、表面紧密光滑、小花未开、球体紧实、手感花球边缘的花蕾粒子略有松动时及时采收。
所述步骤6中的叶面肥为亚硒酸钠,腐植酸纳,磷酸二氢钾,尿素,钼酸钠,硫酸锰,硫酸亚铁混合制成。所述步骤7中的采收应在早晨进行,将花球连同l0-15cm长的嫩茎一起割下,并带4片叶。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已,并不用于限制本发明,对于本领域的技术人员来说,本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
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