[发明专利]一种多层异靶材膜镀膜系统及其镀膜方法

权利要求书

1.一种多层异靶材膜镀膜系统，包括真空腔体和真空获得组件，所述真空腔体包括预真空室（200）和工艺腔体（100），所述工艺腔体（100）内设有包括多个溅射靶的溅射靶组件、加热组件、清洗组件、运动导轨（118），其特征在于：所述预真空室（200）与所述工艺腔体（100）左右连通并采用可打开的预真空室-工艺腔室门挡板（116）隔断，所述真空腔体内还设有用于装载工件盘（128），并能运送所述工件盘（128）于所述预真空室（200）与所述工艺腔体（100）之间的扫描运动小车（117），所述扫描运动小车（117）可在所述工艺腔体（100）内沿着所述运动导轨（118）在所述溅射靶组件、所述清洗组件及所述加热组件之间作水平往复运动，所述真空获得组件用于对所述预真空室（200）和所述工艺腔体（100）抽真空。

2.如权利要求1所述的多层异靶材膜镀膜系统，其特征在于：所述溅射靶组件的各溅射靶间隔安装于所述工艺腔体（100）的顶板上。

3.如权利要求2所述的多层异靶材膜镀膜系统，其特征在于：所述溅射靶组件的多个溅射靶包括靶-靶之间的挡板机构及靶-基片方向的遮板机构。

4.如权利要求1-3任一项所述的多层异靶材膜镀膜系统，其特征在于：所述加热组件包括辐射加热机构（115）、旋转加热烘烤台（119），所述辐射加热机构（115）设于所述工艺腔体（100）的顶板上，所述旋转加热烘烤台（119）设于所述辐射加热机构（115）的下方。

5.如权利要求4所述的多层异靶材膜镀膜系统，其特征在于：所述清洗机构安装在位于所述旋转加热烘烤台（119）侧上方的所述工艺腔体（100）侧壁上，所述清洗机构为辅助清洗离子源（120）。

6.一种基于权利要求1-5中任一项所述多层异靶材膜镀膜系统的镀膜方法，包括：工艺准备、装片进预真空室（200）、低真空获取、转运待镀膜基片、高真空获取、基片加热烘烤、基片清洗、移动基片至溅射靶下方、启动小车扫描运动、预溅射、溅射、完成第一层薄膜材料的制备、切换基片与溅射靶的相对位置、依次完成第二层至第N层薄膜材料的制备、工艺完成，其中N≥2，其特征在于：所述的转运待镀膜基片步骤，首先要确保预真空室（200）和工艺腔体（100）内的低真空值在同一数量级，打开预真空室-工艺腔室门挡板（116），扫描运动小车（117）从所述预真空室（200）运送装有待镀膜基片的工件盘（128）至所述工艺腔体（100）。

7.如权利要求6所述的镀膜方法，其特征在于：在所述预溅射、所述溅射过程中，当所述扫描运动小车（117）向左进行扫描运动时，保证装载基片的工件盘（128）的最右端至少到达与工作靶材的最左端平齐的位置；当所述扫描运动小车（117）向右进行扫描运动时，保证所述工件盘（128）的最左端至少达到与工作靶材的最右端平齐的位置。

8.如权利要求6所述的镀膜方法，其特征在于：所述的工艺准备包括基片的酒精清洗、丙酮清洗、超声清洗、基片预烘烤。

9.如权利要求6所述的镀膜方法，其特征在于：所述低真空获取步骤包含了预真空室（200）和工艺腔体（100）的低真空获取，所述预真空室（200）中的低真空值达到P1≤10Pa。

10.如权利要求6所述的镀膜方法，其特征在于：所述的基片加热烘烤步骤中，通过将装有基片的工件盘（128）放置到旋转加热烘烤台（119）上，采用辐射加热机构（115）对基片进行烘烤除水分。

11.如权利要求6所述的镀膜方法，其特征在于：所述的基片清洗为离子源清洗基片，保持装有基片的工件盘（128）放置在旋转加热烘烤台（119）上，确保所述旋转加热烘烤台（119）处于旋转状态再进行清洗。