[发明专利]一种低功耗氢气温度复合传感芯体及其制备方法

权利要求书

1.一种低功耗氢气温度复合传感芯体，其特征在于：包括基底、位于基底上方的用于监测氢气浓度的氢气测量单元、用于测量温度的温度测量单元及用于信号连接引出的连接单元，所述复合传感芯体在一个基底上同时包括一个温度测量单元及一个氢气测量单元，且在所述温度测量单元表面设有测温保护层，所述氢气测量单元表面具有选择性渗透保护层。

2.根据权利要求1所述低功耗氢气温度复合传感芯体，其特征在于：

所述基底上设置有一层绝缘层，绝缘层位于基底与氢气测量单元、温度测量单元及连接单元之间。

3.根据权利要求1所述低功耗氢气温度复合传感芯体，其特征在于：

所述氢气测量单元包括测氢敏感层、选择性渗透保护层，选择性渗透保护层位于测氢敏感层上方，覆盖了测氢敏感层。

4.根据权利要求1所述低功耗氢气温度复合传感芯体，其特征在于：

所述温度测量单元包含测温保护层和测温敏感层，测温保护层位于测温敏感层上方，覆盖住测温敏感层。

5.根据权利要求1指4任一权利要求所述低功耗氢气温度复合传感芯体，其特征在于：

所述基底为硅或陶瓷。

6.根据权利要求2所述低功耗氢气温度复合传感芯体，其特征在于：

所述绝缘层为二氧化硅或氮化硅或两者的复合体。

7.根据权利要求3所述低功耗氢气温度复合传感芯体，其特征在于：

所述测氢敏感层为钯-镍，钯-银、钯-金或钯-铬合金材料；选择性渗透保护层为二氧化硅。

8.根据权利要求4所述低功耗氢气温度复合传感芯体，其特征在于：

所述测温敏感层为为铂、镍或铜；测温保护层为氮化硅或碳化硅。

9.权利要求1至8任一权利要求所述低功耗氢气温度复合传感芯体的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

1)对基片表面进行清洁预处理；

2)在经过步骤1)处理的基片上沉积绝缘层，优选方法为化学气相沉积；

3)采用光刻-镀膜方法在2)形成的绝缘层上形成测温敏感薄膜图案；

4)采用沉积在测温敏感薄膜上形成保护层

5)采用光刻-镀膜方法在2)形成的绝缘层上形成测氢敏感薄膜图案；

6)采用光刻-镀膜方法形成连接单元薄膜图案；

7)采用化学气相沉积在测氢敏感薄膜上形成选择性渗透层。

10.根据权利要求9所述低功耗氢气温度复合传感芯体的制备方法，其特征在于：步骤2)中，通过化学气相沉积法在基片上沉积绝缘层。