[发明专利]一种宽频带高性能衰减电路

说明书

本发明公开了一种宽频带高性能衰减电路，属于微波技术领域，包括多个电阻；其中，第一电阻为并联电阻，其一端与第二电阻的一端连接，另一端与金带连接；第二电阻为串联电阻，其输入端与输出端均与金带连接；其余多个电阻的一端均悬空，另一端均分布在金带上，且在金带上的分布长度与第二电阻的长度相对应；与第二电阻连接的金带为微波信号的输入端或输出端；与第一电阻和其余多个电阻连接的金带均为地。本发明可通过调整其余多个电阻的个数、位置、宽度、长度来调整衰减电路的驻波比和衰减精度指标，克服了现有技术或衰减精度差、或驻波比差的缺点，满足了工程需求。

技术领域

本发明属于微波技术领域，具体涉及一种宽频带高性能衰减电路。

背景技术

整机和测试系统为改善其指标或实现内部匹配，提高测试精度，经常应用一些小衰减器。对这类衰减器的衰减精度和驻波比指标要求较高，且工作频带较宽。因此，需要设计宽频带高性能衰减器。

现在常用的衰减电路结构如图1所示。图1(a)为多分支分布参数衰减电路，并联电阻可以为多个，此衰减电路的驻波比较好，设计较灵活，可以加电容补偿，提高衰减精度，图2所示，但小衰减值的衰减器很难补偿，衰减精度达不到有些工程应用要求；图1(b)为常用的T型分布参数衰减电路，此小衰减值衰减电路的衰减精度较高，但驻波比差。

现有技术的缺点：现有的小衰减值衰减电路的衰减精度指标，满足不了某些工程应用需求；或现有的衰减精度指标满足工程应用要求的小衰减值衰减电路，驻波比指标非常差。

发明内容

针对现有技术中存在的上述技术问题，本发明提出了一种宽频带高性能衰减电路，设计合理，克服了现有技术的不足，具有良好的效果。

为了实现上述目的，本发明采用如下技术方案：

一种宽频带高性能衰减电路，主要由多个电阻组成；

其中，第一电阻为并联电阻，其一端与第二电阻的一端连接，另一端与金带连接；第二电阻为串联电阻，其输入端与输出端均与金带连接；其余多个电阻的一端均悬空，另一端均分布在金带上，且在金带上的分布长度与第二电阻的长度相对应；与第二电阻连接的金带为微波信号的输入端或输出端；与第一电阻和其余多个电阻连接的金带均为地。

优选地，其余多个电阻中的对称位置的电阻的长度和宽度相等。

本发明所带来的有益技术效果：

本发明可通过调整其余多个电阻的个数、位置、宽度、长度来调整衰减电路的驻波比和衰减精度指标，克服了现有技术或衰减精度差、或驻波比差的缺点，满足了工程需求。

附图说明

图1(a)为现有多分支分布参数衰减电路图。

图1(b)为现有T型分布参数衰减电路图。

图2为图1(a)加电容补偿后的衰减电路图。

图3为图4(a)宽频带高性能衰减电路的原理框图。

图4(a)为加两个接地电阻的宽频带高性能衰减电路图。

图4(b)为加三个接地电阻的宽频带高性能衰减电路图。

图5为加五个接地电阻的宽频带高性能衰减电路图。

具体实施方式

下面结合附图以及具体实施方式对本发明作进一步详细说明：

图4(a)所示，一种宽频带高性能衰减电路，包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻，图3为其等效电路图；

图4(b)所示，一种宽频带高性能衰减电路，包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻；