[发明专利]一种PVT自补偿振荡器

说明书

本发明提供了一种PVT自补偿振荡器，其中，包括：供电电路；RS锁存器；两支补偿电路，分别为第一补偿电路第二补偿电路，第一补偿电路和第二补偿电路的输入端分别设置有一控制端；两支补偿电路的输出端分别连接RS锁存器；每支补偿电路包括：充放电电路，可切换的与供电电路的输出端连接，供电电路用以输出工作电流至充放电电路，以对充放电电路进行充电；补偿放大器，与充电放电的输出端连接；反相器，一端与补偿放大器的输出端连接，另一端与RS锁存器的输入端连接；RS锁存器的两个输出端分别对应连接一个控制端。其技术方案的有益效果在于，振荡器不仅电路结构简单，且功耗较低，可实现PVT自补偿。

技术领域

本发明涉及通信技术领域，尤其涉及一种PVT自补偿振荡器。

背景技术

现有的半导体芯片中都会集成振荡器(oscillator)，而半导体芯片中的振荡器都会遇到随PVT(工艺process、电压voltage、温度temperature)变化，其振荡频率出现改变，为了解决上述问题现有的常用结构中使用基准电流和基准电压来减弱PVT对振荡器频率的影响，结构如图1所示，但是这种结构存在以下缺陷，第一采用电流基准源和电压基准源结构复杂，而且基准源会消耗功耗，第二，该结构中的两个比较器(A、B)会带来失调电压(offset)，失调电压不一致会影响振荡波形占空比，同时会消耗功耗。

发明内容

针对现有技术中随着PVT的变化振荡器的频率出现改变存在的上述问题，现提供一种旨在提供一种电路结构简单可复用，并且对电压以及温度要求低的PVT自补偿振荡器。

具体技术方案如下：

一种PVT自补偿振荡器，其中，包括：

供电电路；

RS锁存器；

两支补偿电路，分别为第一补偿电路和第二补偿电路，所述第一补偿电路和所述第二补偿电路的输入端分别设置有一控制端；

两支所述补偿电路的输出端分别连接所述RS锁存器；

每支所述补偿电路包括：

充放电电路，可切换的与所述供电电路的输出端连接，所述供电电路用以输出工作电流至所述充放电电路，以对所述充放电电路进行充电；

补偿放大器，与所述充电放电的输出端连接；

反相器，一端与所述补偿放大器的输出端连接，另一端与所述RS锁存器的输入端连接；

所述RS锁存器的两个输出端分别对应连接一个所述控制端。

优选的，所述充放电电路包括：

接地支路；

电容，所述电容一端接地，另一端与所述补偿放大器的输入端连接；

所述控制端用以可切换的与所述供电电路的输出端连接或者与所述接地支路连接。

优选的，所述补偿放大器为N型MOS管。

优选的，所述N型MOS管包括栅极、漏极以及源极，所述栅极与所述充放电电路的输出端连接；

所述源极连接一外部的电流源；

所述MOS管的输出端设置在所述源极与所述MOS管之间；

所述源极接地。

优选的，所述控制端由两个MOS管组成。

优选的，所述电流源输出的电流大于所述供电电路输出的电流。

优选的，所述RS锁存器由两个与非门组成，所述RS锁存器包括R输入端、S输入端以及Q输出端，Q非输出端；