[发明专利]AMOLED像素驱动电路及其驱动方法

权利要求书

1.一种AMOLED像素驱动电路，其特征在于，包括：第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、第六薄膜晶体管(T6)、电容(C1)、及有机发光二极管(D)；

所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极接入第二扫描控制信号(S2)，源极电性连接数据信号(Data)，漏极电性连接第一节点(A)；

所述第二薄膜晶体管(T2)的栅极接入第三扫描控制信号(S3)，源极电性连接第一节点(A)，漏极电性连接第二节点(B)；

所述第三薄膜晶体管(T3)的栅极接入第一扫描控制信号(S1)，源极电性连接第二节点(B)，漏极电性连接第三节点(C)；

所述第四薄膜晶体管(T4)的栅极接入第三扫描控制信号(S3)，源极电性连接第三节点(C)，漏极电性连接有机发光二极管(D)的阳极；

所述第五薄膜晶体管(T5)的栅极接入第三扫描控制信号(S3)，源极接入参考电压(Vref)，漏极电性连接第二节点(B)；

所述第六薄膜晶体管(T6)的栅极电性连接第一节点(A)，漏极接入电源高电压(OVDD)，源极电性连接第三节点(C)；

所述电容(C1)的一端电性连接第二节点(B)，另一端电性连接第三节点(C)；

所述有机发光二极管(D)的阴极接入电源低电压(OVSS)；

所述第五薄膜晶体管(T5)为N型薄膜晶体管和P型薄膜晶体管中的一种，所述第一、第二、第三、第四及第六薄膜晶体管(T1、T2、T3、T4、T6)均为N型薄膜晶体管和P型薄膜晶体管中不同于第五薄膜晶体管(T5)的另一种；

所述第一扫描控制信号(S1)、第二扫描控制信号(S2)、以及第三扫描控制信号(S3)相组合，先后对应于一数据电压存储阶段(1)、一阈值电压补偿阶段(2)、及一显示发光阶段(3)，并控制所述有机发光二极管(D)在一数据电压存储阶段(1)及一阈值电压补偿阶段(2)不发光；

在所述数据电压存储阶段(1)，所述第一扫描控制信号(S1)提供第一电位，所述第二扫描控制信号(S2)提供第一电位，第三扫描控制信号(S3)提供不同于第一电位的第二电位，所述第一薄膜晶体管(T1)、第三薄膜晶体管(T3)、及第五薄膜晶体管(T5)打开，所述第二薄膜晶体管(T2)及第四薄膜晶体管(T4)关闭；

在所述阈值电压补偿阶段(2)，所述第一扫描控制信号(S1)提供第二电位，所述第二扫描控制信号(S2)先提供第一电位后提供第二电位，第三扫描控制信号(S3)提供第二电位，所述第五薄膜晶体管(T5)打开，所述第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、及第四薄膜晶体管(T4)关闭，所述第一薄膜晶体管(T1)先打开后关闭；

在所述显示发光阶段(3)，所述第一扫描控制信号(S1)提供第二电位，所述第二扫描控制信号(S2)提供第二电位，第三扫描控制信号(S3)提供第一电位，所述第二薄膜晶体管(T2)、及第四薄膜晶体管(T4)打开，所述第一薄膜晶体管(T1)、第三薄膜晶体管(T3)、及第五薄膜晶体管(T5)关闭。

2.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述第五薄膜晶体管(T5)为P型薄膜晶体管，所述第一、第二、第三、第四及第六薄膜晶体管(T1、T2、T3、T4、T6)均为N型薄膜晶体管。

3.如权利要求2所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述第一电位为高电位，所述第二电位为低电位。

4.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述第五薄膜晶体管(T5)为N型薄膜晶体管，所述第一、第二、第三、第四及第六薄膜晶体管(T1、T2、T3、T4、T6)均为P型薄膜晶体管。

5.如权利要求4所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述第一电位为低电位，所述第二电位为高电位。

6.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述第一扫描控制信号(S1)、第二扫描控制信号(S2)、与第三扫描控制信号(S3)均通过外部时序控制器提供。