[发明专利]以铅膜为中间层,硅酸铅为敏感膜的硅酸根电极及其制备方法有效
申请号: | 201711145802.1 | 申请日: | 2017-11-17 |
公开(公告)号: | CN107941874B | 公开(公告)日: | 2019-08-06 |
发明(设计)人: | 陈雪刚;吴荣荣;叶瑛;黄元凤;王秋瑾;邢亮;金铨 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | G01N27/30 | 分类号: | G01N27/30 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 傅朝栋;张法高 |
地址: | 310058 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 中间层 硅酸 敏感 电极 及其 制备 方法 | ||
1.一种以铅膜为中间层,硅酸铅为敏感膜的硅酸根电极的制备方法,其特征在于,它的步骤如下:
1)将金属丝依次在有机溶剂和稀酸中超声清洗,除去表面油污和氧化物,再用去离子水淋洗后干燥;
2)将1)中干燥后的金属丝作为阴极,铅丝作为阳极,将上述两电极插入铅盐溶液中,通过电化学工作站采用恒电位法,在阴极金属丝表面形成一层灰色铅膜;反应完后,用水清洗并干燥;
3)将2)中得到的镀有铅膜的金属丝作为工作电极,外加辅助电极和参比电极形成三电极系统,将上述三支电极插入硅酸盐溶液中,采用恒电位法,在工作电极的铅膜之外包覆一层硅酸铅膜,然后用水清洗并干燥;
4)将3)中得到的工作电极放入马弗炉中在90~200℃温度下恒温加热8~24小时,在炉内冷却至室温后取出,得到以铅膜为中间层,硅酸铅为敏感膜的硅酸根电极。
2.根据权利要求1所述的一种以铅膜为中间层,硅酸铅为敏感膜的硅酸根电极的制备方法,其特征在于,所述步骤2)中恒电位法电压为0.4~0.8V,电镀时间为10~50s,灵敏度为10-3。
3.根据权利要求1所述的一种以铅膜为中间层,硅酸铅为敏感膜的硅酸根电极的制备方法,其特征在于,所述步骤3)中恒电位法电压为0.4~1.2V,电镀时间为100~250s,灵敏度为10-3。
4.根据权利要求1所述的一种以铅膜为中间层,硅酸铅为敏感膜的硅酸根电极的制备方法,其特征在于,所述的金属丝是直径0.3~1mm,长2~10cm的Cu、Ni、Ag、Au、Ir丝中的一种。
5.根据权利要求1所述的一种以铅膜为中间层,硅酸铅为敏感膜的硅酸根电极的制备方法,其特征在于,所述的有机溶剂是乙醇、丙酮、甲醇中的一种或几种。
6.根据权利要求1所述的一种以铅膜为中间层,硅酸铅为敏感膜的硅酸根电极的制备方法,其特征在于,所述的稀酸是0.1~0.5mol/L盐酸、硫酸、硝酸中的一种或几种。
7.根据权利要求1所述的一种以铅膜为中间层,硅酸铅为敏感膜的硅酸根电极的制备方法,其特征在于,所述的铅盐是浓度为5%~15%(wt)的硝酸铅、氯化铅和醋酸铅中的一种。
8.根据权利要求1所述的一种以铅膜为中间层,硅酸铅为敏感膜的硅酸根电极的制备方法,其特征在于,所述的硅酸盐是浓度为0.1~0.5mol/L的硅酸钠、硅酸钾和硅酸锂中的一种。
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