[发明专利]OLED驱动电路及AMOLED显示面板有效
| 申请号: | 201711130082.1 | 申请日: | 2017-11-15 |
| 公开(公告)号: | CN107749279B | 公开(公告)日: | 2019-08-30 |
| 发明(设计)人: | 毛鹏 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | G09G3/3258 | 分类号: | G09G3/3258 |
| 代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址: | 430070 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | oled 驱动 电路 amoled 显示 面板 | ||
1.一种OLED驱动电路,其特征在于,包括OLED、开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管;所述开关薄膜晶体管的第一端接收数据电压,所述开关薄膜晶体管的第二端电连接到所述驱动薄膜晶体管的栅极,所述开关薄膜晶体管的栅极接收第n级扫描信号,其中n为大于或等于2的整数,所述驱动薄膜晶体管的第一端接收电源电压,所述驱动薄膜晶体管的第二端电连接至所述OLED的正极,所述OLED的负极加载低电平电压;其中,所述OLED驱动电路还包括消除电容和消除薄膜晶体管,其用于消除由于所述驱动薄膜晶体管的阈值电压的漂移以及电源电压的压降而导致的所述OLED的驱动电流的变化。
2.如权利要求1所述的OLED驱动电路,其特征在于,所述消除电容包括第一存储电容和第二存储电容,所述第一存储电容和所述第二存储电容串联,所述第一存储电容的第一电极电连接驱动薄膜晶体管的栅极,所述第一存储电容的第二电极电连接第二存储电容的第一电极,所述第二存储电容的第二电极接收电源电压。
3.如权利要求2所述的OLED驱动电路,其特征在于,所述消除薄膜晶体管包括第三消除薄膜晶体管、第四消除薄膜晶体管、第五消除薄膜晶体管和第六消除薄膜晶体管,其中,所述第三消除薄膜晶体管的第一端电连接到开关薄膜晶体管的第二端,其第二端电连接到OLED的正极,其栅极接收第n-1级扫描信号,所述第四消除薄膜晶体管的第一端接收参考电压,其第二端电连接到开关薄膜晶体管的第二端,其栅极接收第n-1级扫描信号,所述第五消除薄膜晶体管的第一端接收电源电压,其第二端电连接第二存储电容的第一电极,所述第五消除薄膜晶体管的栅极接收使能信号,所述第六消除薄膜晶体管的第一端电连接到第二存储电容的第一电极,其第二端电连接到驱动薄膜晶体管的第一端,其栅极接收反向信号,其中,同时刻所述反向信号与第n级扫描信号的电压相反。
4.如权利要求3所述的OLED驱动电路,其特征在于,所述OLED驱动电路的一个周期包括复位时间段、阈值电压抓取时间段、写入时间段、发光时间段,其中,
在复位时间段和阈值电压抓取时间段,第五薄膜晶体管由导通变为关闭,第三消除薄膜晶体管、第四消除薄膜晶体管、第六消除薄膜晶体管导通,所述驱动薄膜晶体管由导通直到驱动薄膜晶体管的栅极和第一端之间的电压与驱动薄膜晶体管的阈值电压相等而关闭;
在写入时间段,第四消除薄膜晶体管关闭,开关薄膜晶体管导通,数据电压输送给驱动薄膜晶体管的栅极并存储在第一存储电容中;
在发光时间段,第五消除薄膜晶体管、第六消除薄膜晶体管导通,驱动薄膜晶体管导通,所述OLED发光,且所述驱动电流IOLED的计算公式为:
其中,K为驱动薄膜晶体管的电流放大系数,Vdata为数据电压,Vref为参考电压。
5.如权利要求3所述的OLED驱动电路,其特征在于,所述开关薄膜晶体管、驱动薄膜晶体管、第三消除薄膜晶体管、第四消除薄膜晶体管、第五消除薄膜晶体管、第六消除薄膜晶体管均为N型薄膜晶体管。
6.如权利要求4所述的OLED驱动电路,其特征在于,所述电源电压与参考电压的差大于驱动薄膜晶体管的阈值电压。
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