[发明专利]一种低价态氧化锆光学镀膜材料及制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种低价态氧化锆光学镀膜材料及制备方法，属于光学镀膜材料技术领域。

背景技术

在光学镀膜领域，二氧化锆是常用的一种镀膜材料，但由于二氧化锆熔点高(2700℃)，在使用过程中利用率低。

发明内容

为了克服现有技术的不足,本发明提供一种低价态氧化锆光学镀膜材料及制备方法。

一种低价态氧化锆光学镀膜材料，二氧化锆与金属锆粉的摩尔配比：ZrO₂:50～90,金属锆粉：10～50，

优选二氧化锆与金属锆粉的摩尔比0.4～0.8∶0.2～0.6的比例。

材料是不同尺寸的颗粒，或是不同尺寸的片。

一种低价态氧化锆光学镀膜材料制备方法,含有以下步骤；

按二氧化锆与金属锆粉的摩尔比0.4～0.8∶0.2～0.6的比例进行配料及混合，造粒或压片，真空状态下烧结，烧结温度在1350℃～2000℃之间，形成导电性良好的低价氧化锆；金属锆粉或为含金属锆的材料。制备方法制备的光学镀膜材料用于生产光学元件、手机外壳。

本发明的优点是采用低价态氧化锆，在二氧化锆中添加金属锆粉或含金属锆粉的材料，随着金属锆含量的增大，混合物的熔点也随之降低。同时，由于二氧化锆在低于1000℃不导电，在制造ZrO₂靶材料时，要求ZrO₂有导电性能，因而，在ZrO₂中引入一定的Zr，又可生成导电性的ZrO_x,解决靶材生产中的导电性问题。

因而，在ZrO₂中加入一定量的金属锆，便可以生产出处于低价态的氧化锆，由于熔点的降低，在镀膜的过程中，该材料可以得到充分的利用，同时又解决了二氧化锆的导电性问题。

具体实施方式

显然，本领域技术人员基于本发明的宗旨所做的许多修改和变化属于本发明的保护范围。

本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。

为便于对实施例的理解，下面将结合做进一步的解释说明，且各个实施例并不构成对本发明的限定。

实施例1：一种低价态氧化锆光学镀膜材料，由ZrO₂和金属锆粉，或含金属锆的材料和ZrO₂混合后，按照摩尔配比：ZrO₂:50～90,含金属锆粉的材料：10～50混合，在真空状态下烧结，烧结温度为在1350℃～2000℃之间，形成导电性良好的低价氧化锆。

反应如下：

ZrO₂+Zr(Zr M)→ZrO_x

ZrO_x中，X的数值取决于Zr的摩尔含量。

光学镀膜材料可以是不同尺寸的颗粒，也可以不同尺寸的片。

光学镀膜材料用于生产光学元件、手机外壳等。

实施例2：

一种低价态氧化锆光学镀膜材料制备方法,含有以下步骤；

按二氧化锆与金属锆粉的摩尔比0.8∶0.2的比例进行配料、混合、造粒或压片、烧结，真空状态下烧结，烧结温度为2500℃，形成导电性良好的低价氧化锆。

实施例3：一种低价态氧化锆光学镀膜材料制备方法,含有以下步骤；

按二氧化锆与金属锆粉的摩尔比0.75∶0.25的比例进行配料、混合、造粒或压片、烧结，真空状态下烧结，烧结温度为2400℃，形成导电性良好的低价氧化锆。

实施例4：

一种低价态氧化锆光学镀膜材料制备方法,含有以下步骤；

按二氧化锆与金属锆粉的摩尔比0.7∶0.3的比例进行配料、混合、造粒或压片、烧结，真空状态下烧结，烧结温度为2370℃，形成导电性良好的低价氧化锆。

实施例5：

一种低价态氧化锆光学镀膜材料制备方法,含有以下步骤；

按二氧化锆与金属锆粉的摩尔比0.6∶0.4的比例进行配料、混合、造粒或压片、烧结，真空状态下烧结，烧结温度为2280℃ C，形成导电性良好的低价氧化锆。

实施例6：

一种低价态氧化锆光学镀膜材料制备方法,含有以下步骤；

按二氧化锆与金属锆粉的摩尔比0.5∶0.5的比例进行配料、混合、造粒或压片、烧结，真空状态下烧结，烧结温度为2200℃，形成导电性良好的低价氧化锆。

实施例7：