[发明专利]显示装置和补偿该显示装置的劣化的方法

说明书

显示装置和补偿该显示装置的劣化的方法。一种显示装置包括显示装置，在该显示装置中，每个子像素包括驱动TFT、有机发光二极管和用于驱动所述子像素的至少一个开关TFT。所述驱动TFT和所述开关TFT中的至少一个被形成为具有第一栅极节点和第二栅极节点的双栅极TFT，并且每个子像素包括补偿电路，该补偿电路感测所述双栅极TFT的阈值电压并且将所述阈值电压施加到所述双栅极TFT的第一栅极节点或第二栅极节点。

技术领域

本公开涉及显示装置和补偿该显示装置的劣化的方法，并且更具体地，涉及补偿电致发光显示器的元件劣化的方法。

背景技术

有源矩阵型电致发光显示器包括自发光有机发光二极管(下文中，“OLED”)或量子点发射二极管(下文中，“QLED”)，并且具有响应速度快、发光效率高、亮度高和视角宽的优点。

参照图1，OLED包括阳极、阴极和在阳极和阴极之间形成的有机化合物层。有机化合物层包括空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、发射层EML、电子传输层ETL和电子注入层EIL。当向阳极和阴极施加操作电压时，穿过空穴传输层HTL的空穴和穿过电子传输层ETL的电子移至发射层EML，形成激发子。因此，发射层EML产生可见光。

在电致发光显示器中，各自包括OLED的像素布置成矩阵，并且基于视频数据的灰度级来调整像素的亮度。每个个体像素包括基于栅极-源极电压来控制流过OLED的驱动电流的驱动TFT(薄膜晶体管)和用于对驱动TFT的栅极-源极电压进行编程的至少一个开关TFT，并且按OLED所发射的与驱动电流成比例的光的量来调整显示器的灰度级(亮度)。

已知电致发光显示器用于以低速驱动像素以在输入图像仅略有改变时帮助降低功耗的技术。在慢速驱动期间，视频数据以较长的间隔进行刷新，存储在像素中的视频数据不能保持在目标水平，而是会泄漏极。在常规的慢速驱动技术中，为了减少视频数据的泄漏极，每个像素中的一些TFT可以被配置为具有优良关断电流特性的氧化物TFT，而每个像素中的其它TFT可以被配置为LTPS(低温多晶硅)TFT。例如，与驱动TFT的栅极连接的TFT被配置为氧化物TFT，而其它TFT被配置为LTPS TFT。

图2例示了包括氧化物TFT和LTPS TFT的像素电路。图3例示了图2的驱动波形。参照图2和图3，像素PXL包括OLED(有机发光二极管)、多个TFT(薄膜晶体管)ST1至ST3和DT以及两个电容器Cst1和Cst2。在图2中，“Coled”表示OLED的寄生电容。

TFT ST1至ST3和DT被实现为n型MOSFET(下文中，被称为NMOS)。为了进行慢速驱动，第一开关TFT ST1被配置为具有优良关断电流特性的NMOS氧化物TFT，而其它TFT ST2、ST3和DT被配置为具有快速响应特性的NMOS LTPS TFT。

通过扫描时间段和发光时间段Te来驱动像素PXL。扫描时间段可被设置为大致1个水平周期1H，并且包括重置时间段Ti、感测时间段Ts和编程时间段Tw。

在重置时间段Ti期间，向数据线供应预定的参考电压Vref。在重置时间段Ti期间，栅极节点Ng的电压被重置成参考电压Vref，并且源极节点Ns的电压被重置成预定的重置电压Vinit。

在感测时间段Ts期间，栅极节点Ng的电位保持在参考电压Vref，而源极节点Ns的电位随着漏极-源极电流Ids而升高。用这种源跟随器配置，驱动TFT DT的栅极-源极电压Vgs被采样作为驱动TFT DT的阈值电压Vth，并且经采样的阈值电压Vth被存储在第一电容器Cst1中。在感测时间段Ts结束时，栅极节点Ng的电压变成等于参考电压Vref，并且源极节点Ns的电压对应于参考电压Vref和阈值电压Vth之差。

在编程时间段Tw期间，向栅极节点Ng施加数据电压Vdata，并且栅极节点Ng处的电压改变VDATA-Vref跨电容器Cst1的和Cst2分配，然后被反映到发送源极节点N_S。因此，驱动TFT DT的栅极-源极电压Vgs被编程成对应于所期望的驱动电流。