[发明专利]一种A3 有效
| 申请号： | 201711114219.4 | 申请日： | 2017-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN107641203B | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 董育斌;姜嫄;阚京兰 | 申请（专利权）人： | 山东师范大学 |
| 主分类号： | C08G83/00 | 分类号： | C08G83/00;C07D487/22;A61K41/00;A61P35/00 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人： | 王志坤 |
| 地址： | 250014 *** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 base sub | ||
本发明涉及功能配合物领域，具体涉及一种A3B型单巯基卟啉化合物及其制备方法和用途，本发明方法制备的单巯基卟啉具有强力配位能力，通过后修饰合成方法将该化合物与UiO‑66相结制备单巯基卟啉修饰的框架纳米材料，即UiO‑66‑H2TClPP‑(SH)1，本发明制备的UiO‑66‑H2TClPP‑(SH)1能够很好地克服现有技术中卟啉分子化合物存在的难溶于水、易团聚、稳定性差的问题，使卟啉及其衍生物的单线态氧的量子产率、荧光寿命、光敏特性得到了大幅度提高。
技术领域
本发明涉及功能配合物领域，具体涉及一种A3B型单巯基卟啉化合物及其制备方法和用途。
背景技术
卟啉化合物是自然界广泛存在的一类具有特殊生理活性的大环共轭分子，叶绿素和血红素是典型代表，它们在生物体内分别都起到了重要的作用。人工合成的卟啉分子主要 meso-位(中位)被各类型功能基团取代，取代基团的数目和排列方式多样，可以简单分为对称性卟啉化合物和非对称性卟啉化合物。目前，已经报道的有关不对称型卟啉化合物的meso-位主要由两种不同的取代基团(用A和B表示)，分为AABB、ABAB和A3B型，其中 A3B型的报道最多。由于卟啉化合物具有特殊的共轭π电子结构、较高的光和热稳定性、多样的分子结构等特性，其种类繁多且各具特色，在医学领域常被作为光动力治疗法(photodynamic therapy，PDT)的抗癌光敏剂。但是由于卟啉及其衍生物自身的结构特点——大平面π共轭体系，该大环卟啉化合物在水溶液中溶解度极低并以聚集体形式存在，这大大降低了单线态氧的量子产率和荧光寿命，降低其光敏特性。
综上，目前的卟啉及其衍生物仍然存在不易溶于水、易团聚、稳定性差等问题这些问题会严重影响卟啉及其衍生物的化学和光学性能，因此，亟需一种能够克服上述问题的一种A3B型单巯基卟啉化合物及其制备方法。
发明内容
针对上述现有技术中存在的问题，本发明的目的在于提供一种A3B型单巯基卟啉化合物及其制备方法和用途，本发明方法制备的单巯基卟啉具有强力配位能力，通过后修饰合成方法将该化合物与UiO-66相结制备单巯基卟啉修饰的框架纳米材料，即 UiO-66-H2TClPP-(SH)1，本发明制备的UiO-66-H2TClPP-(SH)1能够很好地克服现有技术中卟啉分子化合物存在的难溶于水、易团聚、稳定性差的问题，使卟啉及其衍生物的单线态氧的量子产率、荧光寿命、光敏特性得到了大幅度提高。
本发明目的之一是提供一种A3B型单巯基卟啉。
本发明目的之二是提供一种A3B型单巯基卟啉的制备方法。
本发明目的之三是提供一种金属有机框架材料(UiO-66)的制备方法。
本发明目的之四是提供一种A3B型单巯基卟啉修饰UiO-66制备 UiO-66-H2TClPP-(SH)1的方法。
本发明目的之五是提供上述UiO-66-H2TClPP-(SH)1的应用。
为实现上述发明目的，具体的，本发明公开了下述技术方案：
首先，本发明公开了一种A3B型单巯基卟啉化合物，所述A3B型单巯基卟啉化合物的结构式为：
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东师范大学，未经山东师范大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711114219.4/2.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 一种Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>复相热障涂层材料
- 无铅[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>纳米管及其制备方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一种Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 复合膜及其制备方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 荧光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一种(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制备方法
- 荧光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>复合材料的制备方法
