[发明专利]一种基于抗电磁波干扰电路的光控LED用信号处理系统

权利要求书

1.一种基于抗电磁波干扰电路的光控LED用信号处理系统，其特征在于，主要由处理芯片U，三极管VT1，N极与处理芯片U的FDBK管脚相连接、P极经电阻R6后与处理芯片U的COM管脚相连接的二极管D2，P极经电阻R7后与处理芯片U的VNEG管脚相连接、N极与三极管VT1的基极相连接的二极管D3，分别与处理芯片U的VINP管脚和GNEG管脚相连接的低通滤波电路，分别与三极管VT1的发射极和处理芯片U相连接的信号发射调理电路，以及与信号发射调理电路相连接的抗电磁波干扰电路组成；所述三极管VT1的集电极与处理芯片U的FDBK管脚相连接；所述抗电磁波干扰电路由场效应管MOS101，场效应管MOS102，放大器P101，正极与场效应管MOS101的漏极相连接、负极接地的极性电容C101，P极与极性电容C101的负极相连接、N极经可调电阻R101后与放大器P101的负极相连接的二极管D101，一端与场效应管MOS101的栅极相连接、另一端与场效应管MOS102的漏极相连接的电感L101，正极经电阻R102后与二极管D101的N极相连接、负极与放大器P101的输出端相连接后接地的极性电容C102，N极与场效应管MOS102的源极相连接、N极经电阻R103后与场效应管MOS102的栅极相连接的二极管D102，一端与二极管D102的P极相连接、另一端与放大器P101的输出端相连接的电感L102，以及一端与场效应管MOS102的栅极相连接、另一端与放大器P101的输出端相连接的电感L103组成；所述场效应管MOS101的漏极与信号发射调理电路相连接，该场效应管MOS101的源极与外部电源相连接；所述场效应管MOS102的栅极还与放大器P101的正极相连接；所述放大器P101的输出端作为抗电磁波干扰电路的输出端。

2.根据权利要求1所述的一种基于抗电磁波干扰电路的光控LED用信号处理系统，其特征在于，所述低通滤波电路由放大器P1，正极与放大器P1的正极相连接、负极作为低通滤波电路的输入端的极性电容C1，一端与极性电容C1的负极相连接、另一端接地的电阻R1，正极经电阻R2后与放大器P1的负极相连接、负极接地的极性电容C2，正极经电阻R3后与放大器P1的正极相连接、负极与放大器P1的输出端相连接的极性电容C3，P极与放大器P1的正极相连接、N极经电阻R4后与极性电容C3的负极相连接的二极管D1，以及负极与放大器P1的输出端相连接、正极经电阻R5后与处理芯片U的GNEG管脚相连接的极性电容C4组成；所述放大器P1的输出端与处理芯片U的VINP管脚相连接。

3.根据权利要求2所述的一种基于抗电磁波干扰电路的光控LED用信号处理系统，其特征在于，所述信号发射调理电路由场效应管MOS，放大器P2，N极与场效应管MOS的漏极相连接、P极经电阻R8后与处理芯片U的VPOS管脚相连接的二极管D4，负极经电阻R11后与放大器P2的输出端相连接、正极经电阻R9后与场效应管MOS的漏极相连接的极性电容C5，一端与场效应管MOS的源极相连接、另一端与放大器P2的输出端相连接的可调电阻R10，负极与场效应管MOS的源极相连接、正极与放大器P2的正极相连接的极性电容C6，正极与三极管VT1的发射极相连接、负极经电阻R12后与放大器P2的负极相连接的极性电容C7，正极与放大器P2的输出端相连接、负极作为信号发射调理电路的输出端的极性电容C8，以及正极与放大器P2的输出端相连接、负极与极性电容C8的负极相连接的极性电容C9组成；所述极性电容C7的负极接地；所述场效应管MOS的栅极与处理芯片U的VOUT管脚相连接；所述极性电容C8的负极与场效应管MOS101的漏极相连接。

4.根据权利要求3所述的一种基于抗电磁波干扰电路的光控LED用信号处理系统，其特征在于，所述处理芯片U为AD603集成芯片。