[发明专利]OLED像素驱动电路、OLED显示面板及驱动方法

说明书

本发明涉及一种OLED像素驱动电路、OLED显示面板及驱动方法。该驱动电路包括：第一薄膜晶体管(T1)栅极连接第三节点(C)，源极和漏极连接第二节点(B)和第一节点(A)；第二薄膜晶体管(T2)栅极连接扫描信号(Scan)，源极和漏极连接第一节点(A)和第三节点(C)；第三薄膜晶体管(T3)栅极连接扫描信号(Scan)，源极和漏极连接第二节点(B)和输入数据电压(Vdata)；第四薄膜晶体管(T4)栅极连接发光信号(EM)，源极和漏极连接第二节点(B)和直流高电压(VDD)；第五薄膜晶体管(T5)栅极连接发光信号(EM)，源极和漏极连接第一节点(A)和OLED的阳极；以及第一电容(C1)和第二电容(C2)。本发明还提供了显示面板及驱动方法。本发明消除了因驱动晶体管的工艺导致发光不均匀的现象。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种OLED像素驱动电路、OLED显示面板及驱动方法。

背景技术

作为新一代显示技术，有机发光二极管(OLED)显示面板具有低功耗、高色域、高亮度、高分辨率、宽视角、高响应速度等优点，因此备受市场的青睐。

OLED显示装置按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(Passive Matrix OLED，PMOLED)和有源矩阵型OLED(Active Matrix OLED，AMOLED)两大类。其中，AMOLED具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。

参见图1，其为现有OLED的2T1C像素驱动电路示意图，现有的驱动方法及像素结构，通过对OLED施加不同的直流驱动电压，使得OLED在不同的灰阶值下显示所需要的色彩和亮度。2T1C指电路主要包括两个薄膜晶体管和一个电容，其中一个薄膜晶体管T2为开关TFT，由扫描信号Gate控制，用于控制数据信号Data的进入，是控制电容Cst的充电开关，另一个薄膜晶体管T1为驱动TFT，用于驱动OLED，控制通过OLED的电流，电容Cst主要是用来存储Data信号进而控制T1对OLED的驱动电流。在图1所示电路中，作为举例，T1和T2均采用了P型TFT。扫描信号Gate可以来自于栅极驱动器，对应于某一行扫描线，数据信号Data可以来自于源极驱动器，对应于某一列数据线。OVDD为电源高电位，OVSS为电源低电位。

扫描信号Gate打开后，数据信号Data的电压Vdata接入到驱动TFT T1，存储在电容Cst上，使得T1一直处于导通状态，OLED长时间处于直流偏置状态，内部的离子极性化形成内建电场，导致OLED的阈值电压不断增大，OLED的发光亮度不断降低。长时间发光缩短了OLED的寿命。每个子像素OLED的衰老程度不同，使得屏幕显示画面不均，影响显示效果。

如图2a所示，其为现有OLED的5T1C像素驱动电路示意图，图2b为图2a所示电路的时序图。电路主要包括T1～T5共5个薄膜晶体管和1个电容Cs，作为举例，各TFT采用N型TFT，输入信号包括数据电压Vdata，扫描信号SCAN，发光信号EM，直流高电压VDD，以及直流低电压VSS。按照时序图示意，OLED的驱动过程由扫描信号SCAN(时序图中具体表现为S1和Sn，分别代表第1行和第n行的扫描信号)，发光信号EM以及直流高电压VDD控制，划分为数据存储与阈值补偿阶段和发光阶段两个阶段。但是以上现有5T1C像素驱动电路驱动方法存在以下不足：需要改变VDD处电压，变化较快且压差较大，充放电时间不足，且电流过大；改变VDD处电压所需硬件较为复杂，且此处驱动晶体管应为P型晶体管，否则无法消除漂移电压。

总之，现有OLED像素驱动电路各自均存在缺陷，亟需改进。如图1所示，现有OLED的2T1C像素驱动电路中，Gate打开后，Vdata电位存储在电容Cst中，驱动TFT保持导通，使得OLED一直处于直流偏置状态，此驱动方法容易引起OLED的衰老。如图2a和图2b所示，现有OLED的5T1C像素驱动电路OLED没有正常消除阈值电压且改变VDD的操作较难实现。

发明内容