[发明专利]一种大功率直流充电模块的电气拓扑结构在审
申请号: | 201711074598.9 | 申请日: | 2017-11-06 |
公开(公告)号: | CN107910932A | 公开(公告)日: | 2018-04-13 |
发明(设计)人: | 杨飞;杨宏远;白亚平 | 申请(专利权)人: | 南京帕维克新能源科技有限公司 |
主分类号: | H02J7/06 | 分类号: | H02J7/06;H02M1/42;H02M1/44;H02M3/335 |
代理公司: | 北京盛凡智荣知识产权代理有限公司11616 | 代理人: | 唐猛 |
地址: | 211215 江苏省南京*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 大功率 直流 充电 模块 电气 拓扑 结构 | ||
技术领域
本发明涉及直流充电模块的电气拓扑结构,特别涉及一种大功率直流充电模块的电气拓扑结构。
背景技术
水冷直流模块是水冷直流充电机中的核心单元,要同时满足大容量、小体积、低成本、高效率、高功率因数的设计要求。通过分析现有充电机电路拓扑的特点和充电技术发展趋势,确定采用有源功率因数校正前级和LLC谐振全桥软开关变换器的两级变换电路的技术路线。分析典型的APFC电路和逆变软开关技术,提出可提高电源效率的移相全桥变换器结构。
发明内容
针对现有技术中的上述不足,本发明提供了一种大功率直流充电模块的电气拓扑结构,其结构简单,电磁干扰小,功率器件开关电压应力小,效率高。
为了达到上述发明目的,本发明采用的技术方案为:
一种大功率直流充电模块的电气拓扑结构,包括:核心单元水冷直流模块,所述水冷直流模块由交流输入、辅助单元、功率单元、控制及保护单元、直流输出构成,所述功率单元由滤波与EMC、三相功率因数校正、DC/DC全桥变换及滤波与EMC构成,所述交流输入分别连接滤波与EMC、辅助单元,所述滤波与EMC连接三相功率因数校正,所述三相功率因数校正连接DC/DC全桥变换,所述DC/DC全桥变换连接滤波与EMC,所述滤波与EMC连接直流输出、控制与保护单元,所述控制与保护单元连接三相功率因数校正及DC/DC全桥变换,所述辅助单元连接控制与保护单元。
进一步,所述辅助单元即辅助电源。
进一步,所述控制与保护单元即控制及保护。
进一步,确定采用有源功率因数校正前级和LLC谐振全桥软开关变换器的两级变换电路的技术路线。
进一步,APFC电路实现电压调整和功率因数矫正,移相全桥实现功率控制和电能高效转换。
本发明的有益效果为:
1.电压应力小,电磁干扰小,效率可达97.8%。
2.功率器件开关电压应力小,效率高。
3.通过提高工作频率,减小感性元件尺寸。
附图说明
图1为本发明高效水冷直流模块电路拓扑结构图;
图2为本发明大容量APFC电路拓扑电路图;
图3为本发明大容量DC/DC高频软开关变换器电路拓扑电路图。
具体实施方式
下面结合附图来进一步说明本发明的具体实施方式。其中相同的零部件用相同的附图标记表示。
需要说明的是,下面描述中使用的词语“前”、“后”、“左”、“右”、“上”和“下”指的是附图中的方向,词语“内”和“外”分别指的是朝向或远离特定部件几何中心的方向。
为了使本发明的内容更容易被清楚地理解,下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
如图1-3所示,一种大功率直流充电模块的电气拓扑结构,包括:核心单元水冷直流模块,所述水冷直流模块由交流输入、辅助单元、功率单元、控制及保护单元、直流输出构成,所述功率单元由滤波与EMC、三相功率因数校正、DC/DC全桥变换及滤波与EMC构成,所述交流输入分别连接滤波与EMC、辅助单元,所述滤波与EMC连接三相功率因数校正,所述三相功率因数校正连接DC/DC全桥变换,所述DC/DC全桥变换连接滤波与EMC,所述滤波与EMC连接直流输出、控制与保护单元,所述控制与保护单元连接三相功率因数校正及DC/DC全桥变换,所述辅助单元连接控制与保护单元。
所述辅助单元即辅助电源。
所述控制与保护单元即控制及保护。
确定采用有源功率因数校正前级和LLC谐振全桥软开关变换器的两级变换电路的技术路线。
APFC电路实现电压调整和功率因数矫正,移相全桥实现功率控制和电能高效转换。
该装置使用过程中,前级三相APFC电路采用图2所示的维也纳整流电流,为三电平结构,可选用600V的大容量MOSFET,3个IGBT SEMIKRON SKiM401TMLI12E4B 模块。MOSFET管和二极管的电压应力小,电磁干扰小,效率可达97.8%,由于开关频率的提高,也可以大幅减小PFC电感的值,有利于减小感性元件的尺寸和成本。DC/DC变换器采用图3所示的交错模式全桥LLC电路,原边功率管零电压开通,副边整流管零电流关断,实现功率器件软开关;为3电平结构,可选用600V元器件,2个IGBT SEMIKRON SKiM150GB12T4G 模块和6个DIODE二极管。
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