[发明专利]一种区熔硅抛光片用抛光设备的清洗方法

说明书

技术领域

本发明创造涉及一种清洗方法，尤其是涉及一种区熔硅抛光片用抛光设备的清洗方法。

背景技术

硅片的化学机械抛光是一个复杂的多项反应过程。影响抛光片表面质量的因素众多，如抛光液的氧化剂、PH调节剂、催化剂、温度、流量、磨料浓度与粒度等。由于研磨液、晶圆与抛光垫之间的相互作用，便是化学机械抛光过程中发生反应的关键所在，因此也带来了工艺参数多、加工过程不稳定、抛光表面残留浆料不易清除及生产成本较高等问题。

因此，有必要提供一种区熔硅抛光片用抛光设备的清洗方法，以减少工件表面的划伤，提高加工的良品率与生产效率。

发明内容

有鉴于此，本发明创造旨在提出一种区熔硅抛光片用抛光设备的清洗方法，以解决现有技术存在的问题。

为达到上述目的，本发明创造的技术方案是这样实现的：

一种区熔硅抛光片用抛光设备的清洗方法，所述抛光设备的清洗方法是先采用海绵头配合清洗液进行清洗，然后采用去离子水冲洗，最后用抛光液淋洗。

进一步的，所述清洗液的配方按重量份计包括有机酸5～10份、pH调节剂1～3份、表面活性剂0.1～1份、氧化剂5～10份和载体30～50份。

进一步的，所述海绵头材为纳米吸水海绵。

进一步的，所述有机酸为柠檬酸。

进一步的，所述氧化剂为双氧水，所述pH调节剂为氨水。

进一步的，所述载体为去离子水或去离子水与乙醇的混合溶液。

相对于现有技术，本发明创造所述的区熔硅抛光片用抛光设备的清洗方法具有以下优势：

本发明所述的清洗方法可以有效清洗抛光片用抛光设备上的各种残留，大大降低对后续工艺的干扰，进而能够有效防止对硅片抛光程序对硅片表面的损伤，减少抛光过程中的坏片，有效提高了清洗效率和产品良率，间接增加了产品收益。

具体实施方式

除有定义外，以下实施例中所用的技术术语具有与本发明创造所属领域技术人员普遍理解的相同含义。以下实施例中所用的试验试剂，如无特殊说明，均为常规生化试剂；所述实验方法，如无特殊说明，均为常规方法。

下面结合实施例来详细说明本发明创造。

实施例1

一种区熔硅抛光片用抛光设备的清洗方法，所述抛光设备的清洗方法是先采用海绵头配合清洗液进行清洗，然后采用去离子水冲洗，最后用抛光液淋洗。其中，所述清洗液的配方按重量份计包括有机酸5份、pH调节剂1份、表面活性剂0.1份、氧化剂5份和载体30份；所述海绵头材为纳米吸水海绵；所述有机酸为柠檬酸；所述氧化剂为双氧水，所述pH调节剂为氨水；所述载体为去离子水或去离子水与乙醇的混合溶液。

实施例2

与实施例1不同的是，清洗液的配方按重量份计包括有机酸10份、pH调节剂3份、表面活性剂1份、氧化剂10份和载体50份。

实施例3

与实施例1不同的是，清洗液的配方按重量份计包括有机酸8份、pH调节剂2份、表面活性剂0.5份、氧化剂8份和载体40份。

以上所述仅为本发明创造的较佳实施例而已，并不用以限制本发明创造，凡在本发明创造的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明创造的保护范围之内。