[发明专利]一种USB与DC兼容的双充电路及其运行方法

权利要求书

1.一种USB与DC兼容的双充电路，其特征在于，包括USB电源通路、DC电源通路、充电电路、电池、电源管理集成电路PMIC、二极管D1、二极管D2、电容C1、电容C3，所述USB电源通路包括场效应管Q1、场效应管Q2、电容C2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5，所述场效应管Q1的栅极分别连接二极管D2的负极、电阻R3，所述场效应管Q1的源极分别连接二极管D1的负极、电容C1、电阻R4、外接的USB接口，所述场效应管Q1的漏极分别连接电阻R1、电容C2、场效应管Q2的漏极，所述电容C1的另一端接GND，所述二极管D1的正极分别连接二极管D2的正极、电容C3、OTG电源，所述电阻R1的另一端分别连接电阻R2、微控制单元MCU的ADC接口，所述电容R3的另一端、电阻R3的另一端、电阻R2的另一端分别接GND，所述场效应管Q2的栅极分别连接电阻R5、电容C2的另一端、DC电源通路，所述电阻R5的另一端接GND，所述场效应管Q2的源极分别连接电阻R4的另一端、DC电源通路、充电电路，所述DC电源通路的另一端连接DC电源，所述充电电路的另一端分别连接电池、电源管理集成电路PMIC。

2.根据权利要求1所述USB与DC兼容的双充电路，其特征在于，包括电容C5，所述DC电源通路包括二极管D3、二极管D4、场效应管Q5、电阻R9、电阻R10，所述二极管D3的正极分别连接场效应管Q2的栅极、二极管D4的正极、电阻R9、电容C5、DC电源，所述二极管D3的负极分别连接场效应管Q2的源极、二极管D4的负极，所述电阻R9的另一端分别连接电阻R10、场效应管Q5的栅极，所述场效应管Q5的漏极连接MCU的ADC接口，所述场效应管Q5的源极接GND，所述电容C5的另一端接GND，所述电阻R10的另一端接GND。

3.根据权利要求1所述USB与DC兼容的双充电路，其特征在于，包括电容C4，所述充电电路包括场效应管Q3、场效应管Q4、电阻R6、电阻R7、电阻R8，所述电容C4的一端分别连接场效应管Q2的源极、电阻R6、电阻R8、三极管Q4的发射极，所述电容C4的另一端接GND，所述电阻R6的另一端分别连接电阻R7、电源管理集成电路PMIC，所述电阻R7的另一端接GND，所述电阻R8的另一端分别连接场效应管Q3的栅极、电源管理集成电路PMIC，所述三极管Q4的基极连接场效应管Q3的栅极，所述三极管Q4的集电极连接电池，所述场效应管Q3的源极连接电源管理集成电路PMIC。

4.根据权利要求3所述USB与DC兼容的双充电路，其特征在于，所述电阻R6的另一端连接电源管理集成电路PMIC的VCDT接口，所述电阻R8的另一端连接电源管理集成电路PMIC的CHRLDO接口，所述场效应管Q3的源极连接电源管理集成电路PMIC的VDRV接口。

5.一种USB与DC兼容的双充电路运行方法，其特征在于，包括以下情况的运行方法：

插入USB电源，场效应管Q1、场效应管Q2的栅极为低电平，场效应管Q1、场效应管Q2导通，USB电源流过场效应管Q1、场效应管Q2到达充电电路的输入端，电阻R1、电阻R2对输入的USB电源进行分压，电阻R2上的电压USB_DET接到MCU的ADC接口进行采样判断，并在操作系统界面显示当前为USB充电模式；

插入DC电源，DC电源直接流过二极管D2、二极管D3到达充电电路的输入端，电阻R9、电阻R10对输入DC电源进行分压，场效应管Q5漏极上的电压DC_DET接到MCU的ADC接口进行采样判断，并在操作系统界面显示当前为DC电源充电模式。

6.根据权利要求5所述USB与DC兼容的双充电路运行方法，其特征在于，还包括以下情况的运行方法：

插入USB电源和DC电源，场效应管Q2被截止，阻止USB电源到达充电电路，DC电源到达充电电路，系统在检测到USB_DET和DC_DET同时存在时，在操作系统界面显示当前为DC充电模式。

7.根据权利要求5所述USB与DC兼容的双充电路运行方法，其特征在于，还包括以下情况的运行方法：

插入外部OTG设备，OTG电源输出流经二极管D1到达USB接口给外部OTG设备供电，同时OTG电源流过二极管D2到达场效应管Q1的栅极，场效应管Q1被截止，阻止OTG电源到达充电电路。

8.根据权利要求7所述USB与DC兼容的双充电路运行方法，其特征在于，还包括以下情况的运行方法：

插入外部OTG设备和DC电源，场效应管Q1、场效应管Q2都被截止，OTG电源输出流经二极管D1到达USB接口给外部OTG设备供电，DC电源直接流过二极管D2、二极管D3到达充电电路的输入端。