[发明专利]粘合带切断方法和粘合带切断装置

说明书

本发明提供粘合带切断方法和粘合带切断装置，在形成有凹口的半导体晶圆的粘合带切断处理中，能够抑制半导体晶圆的损伤、刀尖的早期损耗并沿着凹口形状适宜地切下粘合带。在将刀尖(25a)调整为方向(D1)之后，使切刀(25)在开口端(E1)刺穿粘合带(T)。之后，将刀尖(25a)的朝向维持为方向(D1)，并沿着倾斜(N1)直至凹口的最深部(F)为止地切断粘合带(T)。将切刀(25)自粘合带(T)抽出并将刀尖调整为方向(D2)，使切刀(25)在开口端(E2)刺穿粘合带(T)。之后，将刀尖(25a)的朝向维持为方向(D2)，并沿着倾斜(N2)直至凹口的最深部(F)为止地切断粘合带(T)。

技术领域

本发明涉及用于使切刀沿着半导体晶圆的外周相对行进而将被粘贴于半导体晶圆的粘合带沿着晶圆外形切下的粘合带切断方法和粘合带切断装置。

背景技术

在自半导体晶圆(以下，适当称作“晶圆”)制造芯片部件的情况下，在晶圆的表面进行处理而形成电路图案，之后在晶圆表面粘贴保护用的粘合带，并沿着晶圆的外形切断该粘合带。

近年来，大多使用在外周凹入地形成有定位用的凹口的晶圆。在具有这样的V字型的凹口的晶圆中，在沿着晶圆的外周将粘合带切断成圆形的情况下，粘合带会残留于凹口的内部。其结果，在之后的背面磨削处理中产生的粉尘、在清洗处理中使用的清洗水会附着于残留的粘合带的粘合面而将周围污染。因此，寻求一种不仅切断晶圆的外周的粘合带、还切断凹口内部的粘合带的方法。

作为切断晶圆外周的粘合带并切断凹口内部的粘合带的特征，提出如下一种方法：一边使切刀沿着晶圆的外周沿恒定方向行进，一边使该切刀自凹口的一个开口端朝向凹口内侧移动(例如参照专利文献1)。

另外，作为切断凹口内部的粘合带的另一特征，提出如下一种结构：使切刀沿着凹口的一侧倾斜行进到V型凹口的谷部，接着，在凹口谷部，以使刀尖自晶圆的径向外侧朝向内侧的方式使切刀旋转，之后，使切刀沿着凹口的另一侧倾斜行进而切断凹口部分的粘合带(例如参照专利文献2)。

专利文献1：日本特开2009－125871号公报

专利文献2：日本特开2011－198980号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，在上述以往装置中存在如下问题。

即，在专利文献1这样以往的粘合带的切断方法中，在凹口部分，切刀一边在与V型凹口的倾斜分开的部分中行进一边向凹口内侧移动。因此，难以完全切下凹口内部的粘合带，在凹口的谷部附近还残留有较多的粘合带。其结果，会担心如下问题：在背面磨削处理时，清洗水、粉尘会经由残留的粘合带部分而浸入晶圆表面，从而污染电路等。

另外，在专利文献2这样以往的方法中，使一边切断粘合带一边行进的切刀在V型凹口的谷部绕与晶圆表面垂直的轴线旋转并改变刀尖的朝向。因此，担心旋转的切刀嵌入凹口的内缘而使晶圆损伤这样的问题、因切刀在凹口谷部旋转时与晶圆相接触而使切刀的刀尖损耗这样的问题等。

尤其在近年，晶圆的薄型化不断发展，晶圆的刚性降低。因此，为了弥补晶圆降低了的刚性，倾向于将较厚的保护用粘合带粘贴于晶圆。在使用较厚且不易变形的粘合带的情况下，难以使插进粘合带的状态下的切刀旋转并改变刀尖的朝向。当在这样的状态下强行地改变切刀的行进方向时，担心容易使切刀损耗的问题、在晶圆上产生裂纹、缺口的问题、以及粘合带发生变形而自晶圆剥离下来这样的问题等。

本发明是鉴于这样的情况而做出的，其主要目的在于，提供粘合带切断方法和粘合带切断装置，在形成有凹口的半导体晶圆的粘合带切断处理中，能够抑制半导体晶圆的损伤、刀尖的早期损耗并能够沿着凹口形状适宜地切下粘合带。

用于解决问题的方案