[发明专利]一种过温保护电路在审
| 申请号： | 201711021604.4 | 申请日： | 2017-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN107919650A | 公开（公告）日： | 2018-04-17 |
| 发明（设计）人： | 吴永钊;毕福春 | 申请（专利权）人： | 深圳市凌康技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H02H5/04 | 分类号： | H02H5/04 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司44102 | 代理人： | 邓义华,王玮 |
| 地址： | 518103 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 保护 电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种过温保护电路，其特征在于：包括检测温度上升率的检测电路和关断信号的输出电路，检测电路监控温度上升情况，一旦温度过高则输出电路断开电流信号。
2.如权利要求1所述过温保护电路，其特征在于：所述检测电路包括基准电流源、第一三极管、P沟道MOS管、第一N沟道MOS管、第二N沟道MOS管、电容、第一电阻、第二电阻和可调电阻；基准电流源正端与P沟道MOS管b端相连，其负端串联第一电阻然后第一电阻侧与供电电源相连；P沟道MOS管e端串联电容与供电电源相连，其c端与第一N沟道MOS管的D端相连，第一N沟道MOS管与第二N沟道MOS管G端相连构成镜像恒流源，两者S端均接地；第一三极管e端依次串联第二电阻和可调电阻，其c端接供电电源，可调电阻接地。
3.如权利要求2所述过温保护电路，其特征在于：所述第二N沟道MOS管D端与供电电源之间串联有第四电阻。
4.如权利要求3所述过温保护电路，其特征在于：所述关断信号的输出电路包括基准电压源和比较器，所述比较器与第五电阻并联，输出逻辑信号TRI，该逻辑信号在低电平条件下有效。
5.如权利要求3所述过温保护电路，其特征在于：所述基准电流源基准电压设为2.5V，第一三极管Vbe设为0.7V。
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