[发明专利]一种读出放大器

说明书

本发明提供一种读出放大器，用于读出介层窗式只读存储器，包括：读出电路，连接至所述介层窗式只读存储器；自适应保持电路，连接至所述读出电路；以及泄漏监测电路，连接至所述自适应保持电路以形成电流镜，使得当发生位线泄漏时，所述自适应保持电路补偿介层窗断开的存储单元的读出电压。采用上述技术方案，可以补偿介层窗断开的存储单元的读出电压。

技术领域

本发明涉及读出放大器领域，特别是涉及一种用于读出介层窗式只读存储器（Via-ROM）的读出放大器。

背景技术

随着半导体技术的发展，发明了各种不同的存储器。介层窗式只读存储器（Via-ROM）通过介层窗记录数据。请参阅图1，图1示出了Via-ROM 900的例子。Via-ROM 900包括多个字线WL1，WL2，WL3…WLn，多个位线BL1, BL2…BLm以及多个存储单元，例如代码为0的若干单元C90（code-0 cells C90）以及代码为1的若干单元C91（code-1 cells C91）。例如，位线上的电压一开始会被充到高电位，代码为0的单元C90的源极接地，代码为0的单元C90的漏极的介层窗导通（在图1中以实心点表示），在连接至单元C90栅极的字线WL2上的电压为高电平时，位线BLm通过单元C90连接至接地，即此时位线BLm上的读出电压为低电平，即代码为0的单元C90的读出电压为地电平。代码为1的单元C91的源极接地，代码为1的单元C91漏极的介层窗断开，在连接至单元C91栅极的字线WL3上的电压为高电平，而其他字线为低电平时，位线BLm仍可保持高电平，此时位线BLm的读出电压为高电平，即代码为1的单元C91的读出电压为高电平。

一个选中的代码为1的单元C91的读出电压可能会由于发生在其他代码为0的单元C90上的位线泄漏而降低，即虽然其他代码为0的单元C90没有被选中，即相应的MOS管没有被导通，但是也有漏电流，所以引起位线上的电压变低。如果在一个位线上形成有大量的代码为0的单元C90，那么在这条位线上的代码为1的单元C91的读出电压可能会极大的下降，且不能被准确的识别出来。

特别是，在高速via-ROM或者高温环境下，位线泄漏容易发生，并且代码为1的单元C91的读出电压不能被准确的识别出来。因此，如何补偿受位线泄漏影响的读出电压是现今的一个重要课题。

发明内容

本发明提供一种读出放大器，主要解决的技术问题是如何补偿受位线泄漏影响的介层窗式只读存储器的读出电压。

本发明实施例提供一种读出放大器，用于读出介层窗式只读存储器，包括：读出电路，连接至所述介层窗式只读存储器；自适应保持电路，连接至所述读出电路；以及泄漏监测电路，连接至所述自适应保持电路以形成电流镜，使得当发生位线泄漏时，所述自适应保持电路补偿介层窗断开的存储单元的读出电压。

本发明另一实施例提供一种读出放大器，用于读出介层窗式只读存储器，包括：读出电路，连接至所述介层窗式只读存储器；混合保持电路，连接至所述读出电路，其中，所述混合保持电路包括静态保持电路以及自适应保持电路，其中所述静态保持电路和所述自适应保持电路并列连接；以及泄漏监测电路，连接至所述自适应保持电路以形成电流镜，使得当发生位线泄漏时，所述自适应保持电路补偿介层窗断开的存储单元的读出电压。

本发明又一实施例提供一种读出放大器，包括读出电路，所述读出电路的输入端与所述介层窗式只读存储器的位线连接，所述读出电路的输出端输出所述介层窗式只读存储器的位线的读出电压，其中，所述位线的读出电压为介层窗断开的存储单元的读出电压；虚拟模块，所述虚拟模块包括虚拟位线和连接至所述虚拟位线的虚拟单元，所述虚拟单元与耦接于所述位线的介层窗导通的单元具有相同的设置；电流镜模块，与所述读出电路耦接，用于基于所述虚拟位线的电流产生泄漏电流，并根据所述泄漏电流输出第一补偿电流，以补偿介层窗断开的存储单元的读出电压。