[发明专利]晶振驱动电路

说明书

本发明公开了晶振驱动电路，包括：第一～第六MOS、第一～第二电阻和隔直耦合装置；第一～第三MOS的第一端连接电源电压，第四～第六MOS的第一端连接地；第一MOS第二端通过第一电阻连接第四MOS第二端，第二MOS的第二端连接第五MOS第二端，第三MOS第二端连接第六MOS第二端；第一～第三MOS的第三端互连并与第五MOS的第二端连接，第四MOS第三端连接隔直耦合装置第一端，第五MOS第三端连接在第四MOS第二端和第一电阻之间，第六MOS第三端连接隔直耦合装置第二端；隔直耦合装置第一端连接在第一MOS第二端和第一电阻之间，隔直耦合装置第二端通过第二电阻连接第三MOS第二端。本发明的晶振驱动电路相对现有技术振幅能够受控并且功耗更低。

技术领域

本发明涉及集成电路领域，特别是涉及一种晶振驱动电路。

背景技术

晶振是给单片机提供工作信号脉冲的，这个脉冲就是单片机的工作速度。晶振是晶体振荡器的简称，在电气上它可以等效成一个电容和一个电阻并联再串联一个电容的二端网络，电工学上这个网络有两个谐振点，以频率的高低分其中较低的频率是串联谐振，较高的频率是并联谐振。由于晶体自身的特性致使这两个频率的距离相当的接近,在这个极窄的频率范围内，晶振等效为一个电感，所以只要晶振的两端并联上合适的电容它就会组成并联谐振电路。这个并联谐振电路加到一个负反馈电路中就可以构成正弦波振荡电路，由于晶振等效为电感的频率范围很窄,所以即使其他元件的参数变化很大,这个振荡器这个振荡器的频率也不会有很大的变化。

如图1所示，一种现有的晶振驱动电路包括：第一～第四PMOS源极连接电源电压VDDA，第一、第二和第四NMOS源极接地，第三四NMOS源极通过第一电阻R1接地，第一～第四PMOS的漏极分别连接第一～第四NMOS的漏极，第一PMOS栅极连接第三PMOS漏栅极，第二PMOS栅极连接第三PMOS栅极，第四PMOS栅极连接第二PMOS漏极和第二PMOS栅极，第一NMOS栅极连接其漏极、第二NMOS栅极和第三NMOS栅极，第四NMOS栅极通过第二电阻Rf连接其漏极。

如图2所示，另一种现有晶振驱动电路包括：第一～第三PMOS源极连接电源电压VDDA，第一～第三NMOS源极连接地，第一PMOS漏极通过第一电阻连接第一NMOS漏极，第二PMOS漏极连接第二NMOS漏极，第三PMOS漏极连接第三NMOS漏极，第一～第三POMS栅极互连并连接第二PMOS漏极，第一NMOS栅极连接第一PMOS漏极，第二NMOS栅极连接第一NMOS漏极，第三NMOS栅极通过第二电阻其漏极。

由于工艺原因，每个生产批次的电阻值，以及MOS的阈值电压等因素会有不同程度的变化，导致偏置电路产生每条支路的电流变化，为了确保最小工作电流必须留有足够余量。导致电流浪费。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种与现有技术相比振幅受控并且功耗更低的晶振驱动电路。

为解决上述技术问题，本发明提供的晶振驱动电路，包括：第一～第六MOS、第一～第二电阻和隔直耦合装置；

第一～第三MOS的第一端连接电源电压，第四～第六MOS的第一端连接地；

第一MOS第二端通过第一电阻连接第四MOS第二端，第二MOS的第二端连接第五MOS第二端，第三MOS第二端连接第六MOS第二端；

第一～第三MOS的第三端互连并与第五MOS的第二端连接，第四MOS第三端连接隔直耦合装置第一端，第五MOS第三端连接在第四MOS第二端和第一电阻之间，第六MOS第三端连接隔直耦合装置第二端；

隔直耦合装置第一端连接在第一MOS第二端和第一电阻之间，隔直耦合装置第二端通过第二电阻连接第三MOS第二端。

进一步改进所述晶振驱动电路，隔直耦合装置在晶振驱动电路启动振动前进行隔直，隔直耦合装置在晶振驱动电路启动振动后将第六MOS第三端的交流信号耦合到第一MOS第二端。