[发明专利]用于增材制造的自适应分层处理方法、系统及增材制造设备有效

专利信息
申请号: 201710972487.3 申请日: 2017-10-18
公开(公告)号: CN107803987B 公开(公告)日: 2020-06-30
发明(设计)人: 唐平;刘一展;刘加发;曾维林 申请(专利权)人: 湖南华曙高科技有限责任公司
主分类号: B29C64/153 分类号: B29C64/153;B29C64/30;B29C64/386;B22F3/105;B33Y30/00;B33Y50/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 410205 湖南省长沙*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 用于 制造 自适应 分层 处理 方法 系统 设备
【权利要求书】:

1.一种用于增材制造的自适应分层处理方法,其特征在于,包括以下步骤:

步骤一、将待打印工件的STL模型导入切片软件,采用预设的初始层厚对STL模型进行初始两层切片,并得到初始两层的切片信息,其中,初始两层的前一层为当前层的上一层,初始两层的后一层为当前层;

步骤二、切片软件根据切片信息提取出当前层的上一层和当前层的切片轮廓,并在当前层的上一层的切片轮廓上提取若干个特征点;

步骤三、分别计算当前层的上一层的切片轮廓上的每一个特征点到当前层的切片轮廓距离,并根据公式C=m/n计算C值,其中,m为当前层的上一层的切片轮廓上所有特征点中距离大于或等于K*t1的个数,n为当前层的上一层的切片轮廓上的特征点总数量,t1为初始层厚,K为系数;

步骤四、根据C值与给定值的比较,调节并确定当前层的层厚;

所述根据C值与给定值的比较,调节并确定当前层的层厚具体包括:

当C值大于或等于给定值时,且当前层的层厚大于预设层厚最小值时,采用小于当前层层厚的层厚值对当前层进行重新切片,并返回执行步骤二;当C值小于给定值时,当前层的层厚不变,采用预设的初始层厚对STL模型的当前层的下一层进行切片,且该当前层的下一层更新为当前层,当前层更新为当前层的上一层,并返回执行步骤二;其中,

所述方法还包括:

在执行上述步骤之前,在切片软件中预存一系列从大到小的标准切片层厚度,每一种层厚都对应一种不同的烧结工艺参数包,以供当需要对每次切片轮廓进行重新切片时按照上述顺序依次调用。

2.根据权利要求1所述的用于增材制造的自适应分层处理方法,其特征在于,分别计算当前层的上一层的切片轮廓上的每一个特征点到当前层的切片轮廓距离具体包括:

计算每一个特征点在X、Y方向与当前层的切片轮廓距离分别记为Δxi,Δyi;

令Δdi=min(Δxi,Δyi),所述Δdi为当前层的上一层的切片轮廓上的每一个特征点到当前层的切片轮廓距离。

3.根据权利要求1或2所述的用于增材制造的自适应分层处理方法,其特征在于,所述K的范围是1-1.732。

4.根据权利要求3所述的用于增材制造的自适应分层处理方法,其特征在于,所述给定值的范围是0.3-0.7。

5.一种用于增材制造的自适应分层处理系统,其特征在于,包括:

初始切片模块,用于将待打印工件的STL模型导入切片软件,采用预设的初始层厚对STL模型进行初始两层切片,并得到初始两层的切片信息,其中,初始两层的前一层为当前层的上一层,初始两层的后一层为当前层;

提取特征点模块,用于根据切片信息提取出当前层的上一层和当前层的切片轮廓,并在当前层的上一层的切片轮廓上提取若干个特征点;

计算模块,用于分别计算当前层的上一层的切片轮廓上的每一个特征点到当前层的切片轮廓距离,并根据公式C=m/n计算C值,其中,m为当前层的上一层的切片轮廓上所有特征点中距离大于或等于K*t1的个数,n为当前层的上一层的切片轮廓上的特征点总数量,t1为初始层厚,K为系数;

以及处理模块,用于根据C值与给定值的比较,调节并确定当前层的层厚;所述处理模块包括:

第一处理单元,用于当C值大于或等于给定值时,且当前层的层厚大于预设层厚最小值时,采用小于当前层层厚的层厚值对当前层进行重新切片;以及

第二处理单元,用于当C值小于给定值时,当前层的层厚不变,采用预设的初始层厚对STL模型的当前层的下一层进行切片,且该当前层的下一层更新为当前层,当前层更新为当前层的上一层;其中,

所述系统还包括:

在切片软件中预存一系列从大到小的标准切片层厚度,每一种层厚都对应一种不同的烧结工艺参数包,以供当需要对每次切片轮廓进行重新切片时按照顺序依次调用。

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