[发明专利]一种电流复用低功耗射频接收机有效

专利信息
申请号: 201710963368.1 申请日: 2017-10-16
公开(公告)号: CN107645300B 公开(公告)日: 2020-04-10
发明(设计)人: 廖友春;张钊锋;程帅;李琳红 申请(专利权)人: 中国科学院上海高等研究院
主分类号: H04B1/16 分类号: H04B1/16;H04B1/10
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 顾正超
地址: 201210 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 电流 复用低 功耗 射频 接收机
【权利要求书】:

1.一种电流复用低功耗射频接收机,包括:

变压器,用于将天线接收的单端射频信号或外接差分信号经其初级-次级的变换转换为差分信号并从第一差分电压节点P1和第二差分电压节点P2输出差分信号;

共栅输入级,用于将所述变压器输出的差分信号进行电容交叉耦合放大并从第三差分电压节点P3和第四差分电压节点P4输出差分放大信号;

共源放大电路,用于将所述变压器输出的差分信号在不增加电流消耗的情况下进行额外的跨导放大并从第三差分电压节点P3和第四差分电压节点P4输出差分放大信号;

共模电压稳定电路,用于利用负反馈原理稳定所述第三差分电压节点P3和第四差分电压节点P4的共模电压;

下变频开关电路,用于在本振信号的控制下将所述共栅输入级、共源放大电路输出的差分放大信号进行下变频得到中频信号并从第五差分电压节点P5和第六差分电压节点P6输出差分中频电流信号;

跨阻放大器,用于将所述下变频开关电路输出的差分中频电流信号转为电压信号并放大输出。

2.如权利要求1所述的一种电流复用低功耗射频接收机,其特征在于:所述电流复用低功耗射频接收机还包括下变频开关管偏置产生电路,用于给所述下变频开关电路的开关MOS管产生直流偏置电压并将来自锁相环PLL的差分本振信号耦合至所述下变频开关电路的开关MOS管的栅极。

3.如权利要求2所述的一种电流复用低功耗射频接收机,其特征在于:所述共栅输入级与所述共源放大电路采用电流复用结构。

4.如权利要求3所述的一种电流复用低功耗射频接收机,其特征在于:所述共栅输入级包括第一NMOS管、第二NMOS管、第一耦合电容、第二耦合电容、第一偏置电阻和第二偏置电阻,所述变压器的次级线圈的同相端与第一耦合电容的一端、第一NMOS管的源极相连组成所述第一差分电压节点P1,所述变压器的次级线圈的反相端与所述第二耦合电容的一端、第二NMOS管的源极相连组成所述第二差分电压节点P2,所述第一耦合电容的另一端连接至所述第二NMOS管的栅极和第二偏置电阻的一端,所述第二耦合电容的另一端连接至所述第一NMOS管的栅极和所述第一偏置电阻的一端,所述第一偏置电阻的另一端和第二偏置电阻的另一端连接至第一偏置电压,所述第一NMOS管连接所述第三差分电压节点P3,所述第二NMOS管的漏极连接所述第四差分电压节点P4。

5.如权利要求4所述的一种电流复用低功耗射频接收机,其特征在于:所述共源放大电路包括第三PMOS管、第四PMOS管、第三耦合电容、第四耦合电容、第三偏置电阻和第四偏置电阻,所述第三耦合电容的一端连接所述第一差分电压节点P1,所述第四耦合电容一端连接第二差分电压节点P2,所述第三耦合电容的另一端与第四PMOS管的栅极和第四偏置电阻的一端相连,所述第四耦合电容的一端与第三PMOS管的栅极和第三偏置电阻的一端相连,所述第三偏置电阻的另一端和第四偏置电阻的另一端连接至第二偏置电压,所述第三PMOS管的漏极连接第三差分电压节点P3,所述第四PMOS管的漏极连接所述第四差分电压节点P4,所述第三PMOS管与第四PMOS管的源极连接所述共模电压稳定电路。

6.如权利要求5所述的一种电流复用低功耗射频接收机,其特征在于:所述共模电压稳定电路包括第五PMOS管、第五电阻、第六电阻和第一运放,所述第三PMOS管的源极与第四PMOS管的源极连接至所述第五PMOS管的漏极,基准共模电压连接至所述第一运放的反相输入端,所述第一运放的输出端连接至所述第五PMOS管的栅极,所述第五PMOS管的源极连接电源电压,所述第五电阻的一端连接所述第三差分电压节点P3,另一端和第六电阻的一端连接至所述第一运放的同相输入端,所述第六电阻的另一端连接所述第四差分电压节点P4。

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