[发明专利]一种温度传感器、阵列基板、显示装置在审

专利信息
申请号: 201710952751.7 申请日: 2017-10-13
公开(公告)号: CN107830940A 公开(公告)日: 2018-03-23
发明(设计)人: 曹学友;王海生;吴俊纬;丁小梁;韩艳玲;郑智仁;刘伟;张平;栾天航;李浩;郭少宁;朱炳乾 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G01K1/02 分类号: G01K1/02;G01K7/00
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 代理人: 柴亮,张天舒
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 温度传感器 阵列 显示装置
【说明书】:

技术领域

发明属于传感器技术领域,具体涉及一种温度传感器、阵列基板、显示装置。

背景技术

现有技术中一般使用TFT制作多级环形振荡器检测环形振荡器输出频率来测试温度。

发明人发现现有技术中至少存在如下问题:环形振荡器输出频率有高频谐波,这给后续信号处理带来困扰,影响测试精度。

发明内容

本发明针对现有的温度传感器中环形振荡器输出频率有高频谐波,影响测试精度的问题,提供一种温度传感器、阵列基板、显示装置。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是:

一种温度传感器,包括:

环形振荡器,用于输出方波信号;

比较器,用于将输入比较器的方波信号与比较器内预存的基准信号作比较后输出比较方波信号;

设于所述环形振荡器与比较器之间的低通滤波器,用于将环形振荡器输出的方波信号滤除高频信号后输出至比较器;

与所述比较器连接的信号转换器,用于将比较器输出的比较方波信号转换为温度值。

优选的是,所述环形振荡器包括n级环形振荡单元,其中,n 为大于或等于5的奇数,每级环形振荡单元包括至少一个第一晶体管和至少一个第二晶体管。

优选的是,每一级的第一晶体管的控制极和源极连接第一电平信号端,每一级的第一晶体管的漏极连接同一级第二晶体管的源极;

所述第一级第二晶体管的控制极连接比较器的第一输入端;除第一级第二晶体管以外的其余第二晶体管的控制极连接与其相邻的上一级第二晶体管的源极和上一级第一晶体管的漏极;每一级第二晶体管的漏极连接第二电平信号端;

第n级第二晶体管的源极、第n级第一晶体管的漏极均连接低通滤波器的输入端。

优选的是,所述低通滤波器包括第一电容,所述第一电容的第一端连接第n级第二晶体管的源极、第n级第一晶体管的漏极和比较器的第一输入端;所述第一电容的第二端接地。

优选的是,所述低通滤波器包括第二电容和第三晶体管;

所述第二电容的第一端连接第三晶体管的漏极和比较器的第一输入端;所述第二电容的第二端接地;

所述第三晶体管的控制极连接第一电平信号端,所述第三晶体管的源极连接第n级第二晶体管的源极、第n级第一晶体管的漏极。

优选的是,所述低通滤波器包括第三电容和第六晶体管;

所述第三电容的第一端连接第六晶体管的漏极和比较器的第一输入端;所述第三电容的第二端接地;

所述第六晶体管的控制极连接高电平信号端,所述第六晶体管的源极连接第n级第二晶体管的源极、第n级第一晶体管的漏极。

优选的是,所述低通滤波器包括第四电容和第一电阻;

所述第四电容的第一端连接第一电阻的第二端和比较器的第一输入端;所述第四电容的第二端接地;

所述第一电阻的第一端连接第n级第二晶体管的源极、第n 级第一晶体管的漏极。

优选的是,所述温度传感器还包括起振器,用于提高环形振

荡器的起振特性。

优选的是,所述起振器包括第四晶体管和第五晶体管;

所述第四晶体管的控制极连接比较器的第一输入端;所述第四晶体管的源极连接第三电平信号端,所述第四晶体管的漏极连接第二晶体管的控制极和第五晶体管的源极;

所述第五晶体管的漏极连接第四电平信号端,所述第五晶体管的控制极连接第五电平信号端。

优选的是,所述信号转换器包括:

与比较器连接的缓冲器,用于将比较器输出的比较方波信号转换为可识别电压信号;

与缓冲器连接的数字信号处理器,用于将缓冲器输出的可识别电压信号进行数字信号处理并经过换算后输出温度值。

本发明还公开一种阵列基板,包括上述的温度传感器。

本发明还公开一种显示装置,包括上述的阵列基板。

本发明的温度传感器中,在环形振荡器与比较器之间设有低通滤波器,这样环形振荡器输出的方波信号先经过低通滤波器,低通滤波器将环形振荡器输出的方波信号中的高频部分直接滤除,从而提高环形振荡器信噪比,大大提高了温度传感器测试精度。本发明的温度传感器适用于阵列基板中。

附图说明

图1为本发明的实施例1的温度传感器的结构示意图;

图2-7为本发明的实施例2的温度传感器的结构示意图;

图8为对比例的温度传感器采集频率信号的波形图;

图9为本发明的实施例2的温度传感器采集频率信号的波形图;

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