[发明专利]磁传感器

说明书

本发明提供一种能够抑制霍尔元件的偏置电压变动的磁传感器。本发明的磁传感器(100)具有霍尔元件(10)、第一面(51)和第二面(52)。霍尔元件(10)具有基板(10)和形成在基板(10)上的活性层(12)。第一面(51)为使基板(11)侧为下侧时成为最上侧的面。第二面(52)为使基板(11)侧为下侧时成为最下侧的面。第一面(51)与活性层(12)的靠第一面(51)侧的面之间的距离(D)为100μm以下。第一面(51)的算术平均粗糙度(Ra)为1μm以上且为20μm以下。

技术领域

本发明涉及一种磁传感器。

背景技术

近年来，伴随着电子设备的小型化，电子零件也在向小型化、薄型化发展。特别是对磁传感器而言，多数情况下是传感器的厚度影响着电子设备的厚度，因此，迫切需要使封装薄型化。

关于使磁传感器薄型化，例如，专利文献1中提出了下述内容：将封装做成无基岛构造(省略了用于载置霍尔元件的基岛部的构造)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2016－21549号公报

发明内容

发明要解决的问题

磁传感器具有：霍尔元件，其具有基板和形成在基板上的活性层；第一面，其为使基板侧为下侧时成为最上侧的面；及第二面，其为使基板侧为下侧时成为最下侧的面。为了使磁传感器薄型化，期望的是，缩短霍尔元件的上表面与磁传感器的第一面之间的距离，但当该距离被缩短时，外部的光就变得容易到达霍尔元件的上表面。相伴于此，存在下述可能性：因光激发导致霍尔元件的偏置电压Vu变动。

本发明的课题在于，提供一种能够抑制霍尔元件的偏置电压变动的磁传感器。

用于解决问题的方案

为了解决上述课题，本发明的一技术方案的磁传感器具有：霍尔元件，其具有基板和形成在所述基板上的活性层；第一面，其为使基板侧为下侧时成为最上侧的面；及第二面，其为使基板侧为下侧时成为最下侧的面，第一面与活性层的靠第一面侧的面之间的距离为100μm以下，第一面的算术平均粗糙度(Ra)为1μm以上且为20μm以下。

发明的效果

采用本发明的一技术方案，能够提供一种能够抑制霍尔元件的偏置电压变动的磁传感器。

附图说明

图1的(a)是表示实施方式的磁传感器的立体图，图1的(b)是表示实施方式的磁传感器的俯视图，图1的(c)是表示沿图1的(b)中的C－C截面所对应的剖视图，图1的(d)是表示实施方式的磁传感器的仰视图。

图2是表示实施方式的磁传感器的霍尔元件部分的放大剖视图。

图3是表示构成实施方式的磁传感器的霍尔元件的俯视图。

图4是按工序顺序来说明实施方式的磁传感器的制造方法的俯视图。

图5是按工序顺序来说明实施方式的磁传感器的制造方法中的树脂密封工序以及其之后的工序的图。

附图标记说明