[发明专利]电子标签在审
申请号: | 201710875062.0 | 申请日: | 2017-09-25 |
公开(公告)号: | CN107392301A | 公开(公告)日: | 2017-11-24 |
发明(设计)人: | 周莉 | 申请(专利权)人: | 周莉 |
主分类号: | G06K19/077 | 分类号: | G06K19/077 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 210000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子标签 | ||
技术领域
本发明涉及一种电子标签,特别是一种工作于UHF频段可具有超大内存的无源RFID电子标签。
背景技术
随着物联网的发展,无源RFID(无线射频技术)电子标签被广泛运用于各个社会管理领域,其能满足在实际应用状态下读写器对被标识物的远距离、多对象、自动化识别、分析和处理,极大的提高了管理效率和水平。传统的RFID电子标签因为微带电路的结构及微带电路结构与芯片的匹配程度等原因,造成微波发射/接收距离较短,而且由于芯片内存小,大量信息操作需通过后台等原因,使得在实际使用中受到许多限制,造成不方便。
发明内容
为了解决以上出现的问题,本发明提供了一种电子标签,特别是一种可工作于UHF频段、具有超大内存的无源RFID电子标签,能够提高电子标签的微波发射/接收距离,并且能够使整个电子标签的微波发射分布更均匀。
本发明的电子标签,在基片上设置有微带电路和与所述微带电路连接的芯片,在外形大体呈矩形的片状微带电路的区域中,设有大体呈工字形空间的微波辐射区,在该工字形微波辐射区的中部以平行间隔方式设有两条与微带电路连通的横向连接电路,其中一条为连通式连接电路,另一条为带有间断部位的非连通连接电路,所述的芯片跨接于非连通连接电路的间断部位处,并与两侧的非连通连接电路连接。该大体呈工字形的微波辐射区形式的微带电路结构,能够调整整个微带电路的阻抗,使之与芯片的阻抗更加匹配,从而提高电子标签读写效果,增大微波发射/接收的距离。特别是,通过这种结构,还可以使电子标签能够适应与大容量的芯片,例如容量可达8K的芯片相匹配使用(传统芯片的容量仅几百bit)。
在上述结构基础上,所述的工字形微波辐射区优选为以对称方式设置在片状微带电路的纵轴线两侧。这种方式设置的微波辐射区有利于与微带电路阻抗和芯片阻抗较好匹配,使电子标签的读写效果更好。
进一步,所述以平行间隔方式设置的该横向连接电路,优选为设置在工字形微波辐射区纵轴线长度方向上的中点两侧或其附近,即该工字形微波辐射区的中部位置处。
进一步的优选方案还包括,所述的连通式连接电路中具有比非连通连接电路更细窄的电路连接段。试验显示,采用两条粗细不同结构的连接电路,能够具有更为理想的效果。
此外,在上述结构基础上的另一种优选方式,是将所述非连通连接电路中的间断部位,设置在该非连通连接电路的长度中点或其附近部位处。考虑到芯片的微波辐射方向是沿芯片中心向左右两极均匀散射的特点,将芯片设置在非连通连接电路的长度中点或其附近部位处,使芯片距离两端对称,将有利于使电子标签的微波辐射更加均匀,使对信息的读写有更好的效果。
上述的微带电路一般可以通过印刷、烧结、粘接或铆接结构等方式,设置在由PCB(集成电路板)、陶瓷片、PVC或无纺布构成的基片上。
试验显示,本发明上述结构的电子标签中,非常适合设置内存为8KB存储容量的芯片,大容量的芯片内存能够存储更多的管理信息,读写信息时可直接对存储在芯片内存里面的信息进行读取和操作,实现前端节点服务及管理,减轻了后台运行系统的负担,节约建设和后台维护成本,且因为读写设备是直接对储存在芯片内的信息进行操作,还节省了时间,提高了管理效率。
进一步,在上述设有微带电路的基片的另一面上,还可以设有可目视的有关信息,以方便在特定情况下的识别和辨认。
本发明的电子标签能够提高电子标签的微波发射/接收距离,并且能够使整个电子标签的微波发射分布更均匀,并且在使用大容量内存的芯片后,明显减轻了后台运行系统的负担,节省了信息读写时间,节约建设和后台维护成本,提高了管理效率。
以下通过由附图所示实施例的具体实施方式,对本发明的上述内容再作进一步的详细说明。但不应将此理解为本发明上述主题的范围仅限于以下的实例。在不脱离本发明上述技术思想情况下,根据本领域普通技术知识和惯用手段做出的各种替换或变更,均应包括在本发明的范围内。
附图说明
图1为本发明电子标签一种结构的示意图。
具体实施方式
图1所示的本发明的电子标签,在由PCB、陶瓷片、PVC或无纺布构成的基片1的一面设有通过印刷、烧结、粘接或铆接结构设有外形大体呈矩形的片状微带电路2。在该微带电路2的区域中,以微带电路2的纵轴线对称方式设置有呈工字形空间的微波辐射区4,并在该工字形微波辐射区4的中部,即在工字形微波辐射区纵轴线长度方向上的中点两侧或其附近,以平行间隔方式设有两条与微带电路2连通的横向连接电路,其中一条为连通式连接电路6,另一条为带有间断部位5的非连通连接电路7,且该间断部位5设在非连通连接电路7的长度中点或其附近部位处。连通式连接电路6中具有比非连通连接电路7更细窄的电路连接段。芯片3为具有可达8KB存储容量的构件,跨接于非连通连接电路7的间断部位5处,并与两侧的非连通连接电路7连接。在基片1上与设有微带电路2相背的另一侧面上,还可根据需要设有可目视的相关识别信息。
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