[发明专利]一种纳米复合涂层结构及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201710829657.2 申请日: 2017-09-14
公开(公告)号: CN107604332B 公开(公告)日: 2020-05-08
发明(设计)人: 毛昌海 申请(专利权)人: 艾瑞森表面技术(苏州)股份有限公司
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/06;C23C14/08;C23C28/04
代理公司: 苏州华博知识产权代理有限公司 32232 代理人: 兰仙梅
地址: 215300 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 纳米 复合 涂层 结构 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种纳米复合涂层结构,其特征在于,包括:

CrN过渡层,所述CrN过渡层沉积在基体上;

Ti1-xSixN层,所述Ti1-xSixN层沉积于所述CrN过渡层上;

Cr2O3层,所述Cr2O3层沉积于所述Ti1-xSixN层,且Cr2O3层和Ti1-xSixN层界面为共格外延界面;

所述Ti1-xSixN层,采用Ti1-xSixN陶瓷靶沉积,且Ti1-xSixN层中Ti1-xSixN分子式的0x≤0.05;所述Ti1-xSixN层的Si以固溶形式存在于TiN中,呈面心立方结构;所述Ti1-xSixN层和Cr2O3层组成的Ti1-xSixN/Cr2O3复合纳米层结构重复沉积至少一层;所述Ti1-xSixN层和Cr2O3层组成的Ti1-xSixN/Cr2O3复合纳米层结构重复沉积的总厚度为1μm~12μm;

所述Ti1-xSixN层的厚度控制在2nm~10nm;

所述Cr2O3层在沉积时,采用Cr2O3陶瓷靶,且Cr2O3层沉积的厚度控制在1nm~5nm;

所述CrN过渡层的厚度为50nm~200nm;

纳米复合涂层制备方法包括以下步骤:

S1:利用Cr靶在基体上沉积CrN过渡层;

S2:采用Ti1-xSixN陶瓷靶沉积Ti1-xSixN层,且沉积的厚度控制在2nm~10nm;

S3:在步骤S2中的Ti1-xSixN层上采用Cr2O3陶瓷靶沉积Cr2O3层,且沉积的厚度控制在1μm~12μm,保证Ti1-xSixN层和Cr2O3层之间共格外延生长;

S4:重复步骤S2和步骤S3,直至Ti1-xSixN层和Cr2O3层组成的Ti1-xSixN/Cr2O3复合纳米层重复沉积的厚度为1μm~12μm,所述沉积的方法均采用物理气相沉积工艺。

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