[发明专利]一种降低振荡器功耗的电路有效
申请号: | 201710797912.X | 申请日: | 2017-09-06 |
公开(公告)号: | CN107565935B | 公开(公告)日: | 2021-07-02 |
发明(设计)人: | 侯力梅 | 申请(专利权)人: | 芯海科技(深圳)股份有限公司 |
主分类号: | H03K3/354 | 分类号: | H03K3/354;H03K3/012 |
代理公司: | 深圳市神州联合知识产权代理事务所(普通合伙) 44324 | 代理人: | 王志强 |
地址: | 518067 广东省深圳市南山*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 降低 振荡器 功耗 电路 | ||
1.一种降低振荡器功耗的电路,所述振荡器是片内RC振荡器,所述电路包括电流源、电流镜和开关S3,所述电流镜包括CMOS晶体管M4、M5和M7,CMOS晶体管M5的源极连接电源VS,漏极连接片内RC振荡器中的电阻的一端,其特征在于所述电流镜中另外设置一个CMOS晶体管M6,所述CMOS晶体管M6的源极连接电源VS,栅极连接CMOS晶体管M5的栅极,漏极通过开关S3连接到CMOS晶体管M5的漏极,为片内RC振荡器中的电阻提供偏置电流。
2.如权利要求1所述的降低振荡器功耗的电路,其特征在于所述片内RC振荡器中包括两个串联的电阻,所述CMOS晶体管M5的漏极连接串联电阻的一端,所述串联电阻的一端输出参考电压VREF,所述串联电阻的另一端连接CMOS晶体管M8的漏极,所述CMOS晶体管M8的栅极和漏极短接,所述CMOS晶体管M8提供参考电压VREF的一部分,充电时VREF=2I*2R+VDS8,放电时VREF=I*2R+VDS8,其中I为电流源提供的电流,2R为片内RC振荡器中串联电阻的总阻值,VDS8为CMOS晶体管M8的导通压降。
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