[发明专利]灵活多电平无桥功率因数校正变换器及调制方法

权利要求书

1.一种灵活多电平无桥功率因数校正变换器的调制方法，灵活多电平无桥功率因数校正变换器包括交流电感部分(110)、电力电子开关网络(120)和直流电容部分(130)；

所述电力电子开关网络(120)包含N沟道MOSFET开关管S₁、N沟道MOSFET开关管S₂、N沟道MOSFET开关管S₃、N沟道MOSFET开关管S₄、N沟道MOSFET开关管S₅及N沟道MOSFET开关管S₆，以及二极管D₁和二极管D₂；其中，二极管D₁阳极连接到N沟道MOSFET开关管S₁漏极，N沟道MOSFET开关管S₁源极连接到N沟道MOSFET开关管S₂漏极，N沟道MOSFET开关管S₂源极连接到N沟道MOSFET开关管S₄源极；二极管D₂阳极连接到N沟道MOSFET开关管S₃漏极，N沟道MOSFET开关管S₃源极连接到N沟道MOSFET开关管S₄漏极；二极管D₁阴极连接到二极管D₂阴极；N沟道MOSFET开关管S₅源极连接到N沟道MOSFET开关管S₃源极，N沟道MOSFET开关管S₅漏极连接到直流电容部分(130)中点；N沟道MOSFET开关管S₆源极连接到N沟道MOSFET开关管S₁源极，N沟道MOSFET开关管S₆漏极连接到直流电容部分(130)中点；

所述直流电容部分(130)包括两个串联的电容C₁和电容C₂；其中，电容C₁的正极连接到二极管D₂的阴极，电容C₁的负极连接到电容C₂正极、N沟道MOSFET开关管S₅漏极和N沟道MOSFET开关管S₆漏极的接点；电容C₂的负极连接到N沟道MOSFET开关管S₂源极和N沟道MOSFET开关管S₄源极的接点；

所述交流电感部分(110)包含电感L₁和电感L₂；其中，电感L₁的一端连接于N沟道MOSFET开关管S₁漏极和二极管D₁阳极的接点，电感L₁的另一端连接于V_s的一端，而V_s的另一端连接于电感L₂的一端，而电感L₂的另一端连接于N沟道MOSFET开关管S₃漏极和二极管D₂阳极的接点，且电感L₁的电感量与电感L₂的电感量相等，其中，Vs为电源电压；其特征在于：所述调制方法如下：

当电容C₁、电容C₂电压满足的条件时，变换器为五电平工作状态；

当电容C₁、电容C₂电压满足的条件时，变换器为七电平工作状态；

其中，V₀为输出负载R_L电压，负载R_L的一端连接在C1的正极相连，负载R_L的另一端连接在C2的负极相连。