[发明专利]读取辅助电路

说明书

本文描述的各种实现涉及集成电路。集成电路可以包括用于将位线预充电到源电压电平的预充电电路。集成电路可以包括写入辅助电路，所述写入辅助电路具有用于向位线中的至少一个提供写入辅助信号的电荷存储元件。集成电路可以包括读取辅助电路，所述读取辅助电路具有用于在位线、预充电电路和写入辅助电路的电荷存储元件之间提供电荷共享的开关元件。

技术领域

本发明涉及读取辅助电路。

背景技术

本节旨在提供与理解本文所述的各种技术相关的信息。正如本节的标题所暗示的，这是对相关技术的讨论，其绝不暗示它是现有技术。通常，相关技术可以被认为是或者可以不被认为是现有技术。因此，应当理解的是，本节中的任何陈述应当从这个角度来阅读，而不作为对现有技术的任何承认。

在常规存储单元(比如，6T SRAM(静态随机存取存储器)单元等)中，由于来自位线电容的电荷注入，低内部节点的偏置可能会在读取操作期间增大。在这种情况下，如果偏置上升到内部逆变器的开关点以上，则存储单元可能变得不稳定，并且存储单元可能无意中切换其状态。这种特定场景可以称作：所使用的字线可能在读取或写入操作期间发生的读取干扰。在一些情况下，在读取操作期间，所选字线上的存储单元可能发生这种读取干扰。在一些其它情况下，在写入操作期间，所选字线上的一行存储单元可能发生这种读取干扰。

发明内容

本公开提出了一种集成电路，包括：预充电电路，用于将位线预充电到源电压电平；写入辅助电路，具有用于向所述位线中的至少一个提供写入辅助信号的电荷存储元件；以及读取辅助电路，具有用于在位线、预充电电路和写入辅助电路的电荷存储元件之间提供电荷共享的开关元件。

本发明还提出了一种集成电路，包括：预充电电路，用于将位线预充电到源电压电平；读取和写入电路，具有耦接到所述位线和所述预充电电路的读出放大器和一对写入驱动器，所述读出放大器在读取周期期间读出每个位线上的读取数据信号，所述一对写入驱动器在写入周期期间向每个位线提供写入数据信号；写入辅助电路，具有耦接在所述一对写入驱动器之间的电荷存储元件，所述电荷存储元件在写入周期期间向所述位线中的至少一个提供写入辅助信号；以及读取辅助电路，具有耦接在所述预充电电路和所述电荷存储元件之间的开关元件，所述开关元件在读取周期期间在所述位线、所述预充电电路和所述写入辅助电路的电荷存储元件之间提供电荷共享。

本发明还提出了一种制造集成电路的方法，所述方法包括：提供用于将位线预充电到源电压电平的预充电电路；提供读取和写入电路，所述读取和写入电路具有耦接到所述位线和所述预充电电路的读出放大器和一对写入驱动器，所述读出放大器在读取周期期间读出每个位线上的读取数据信号，并且所述一对写入驱动器在写入周期期间向每个位线提供写入数据信号；提供写入辅助电路，所述写入辅助电路具有耦接在所述一对写入驱动器之间的电荷存储元件，所述电荷存储元件在写入周期期间向所述位线中的至少一个提供写入辅助信号；以及提供读取辅助电路，所述读取辅助电路具有耦接在所述预充电电路和所述电荷存储元件之间的开关元件，所述开关元件在读取周期期间在所述位线、所述预充电电路和所述写入辅助电路的电荷存储元件之间提供电荷共享。

附图说明

本文参考附图描述了各种技术的实现。然而，应当理解，附图仅示出了本文所描述的各种实现，并不意味着限制本文所描述的各种技术的实施例。

图1示出了根据本文所述的各种实现的存储电路的图。

图2示出了根据本文所述的各种实现的具有读取辅助和写入辅助的存储列存取电路的图。

图3示出了根据本文所述的各种实现的各种信号时序图。

图4示出了根据本文所述的各种实现的制造读取辅助电路的方法的处理流程。

具体实施方式