[发明专利]一种中子发生管在审
申请号: | 201710749135.1 | 申请日: | 2017-08-28 |
公开(公告)号: | CN107567174A | 公开(公告)日: | 2018-01-09 |
发明(设计)人: | 李三庆;郭长立;杨鹏飞;罗罡;李尚哲;刘百来;张文荣;王霞 | 申请(专利权)人: | 西安工业大学 |
主分类号: | H05H3/06 | 分类号: | H05H3/06 |
代理公司: | 西安新思维专利商标事务所有限公司61114 | 代理人: | 黄秦芳 |
地址: | 710032 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 中子 发生 | ||
技术领域:
本发明涉及中子源设备技术领域,具体涉及一种中子发生管。
背景技术:
中子发生管可以应用到多个领域,尤其在石油测井方面取得了非常好的效果。中子发生管是由离子源、外壳、加速极和靶子四部分组成,外壳内为真空腔体。离子源产生氘离子,外壳起绝缘和密封作用,加速极加速氘离子使其获得足以发生核反应的能量,氚(氘)靶吸附氚(氘)气。其工作原理是:由冷阴极潘宁离子源电离氘气生成氘离子,氘离子经强电场加速后打在氚(氘)靶上,与靶中的氚(氘)气发生核反应,产生中子。与普通同位素中子源相比其具有中子产额高、能谱单色性好、无伽马本底,不用时没有放射性,绿色环保。冷阴极潘宁离子源阳极加载脉冲电压,可产生不同频率和宽度的脉冲中子,便于谱分析。
传统的测井中子发生管大多采用冷阴极潘宁离子源,其具有体积小结构简单等优点。工作时离子源是在脉冲状态下工作的,通过引出孔引出的氘离子也是脉冲的,经加速电场加速轰击靶子,产生的中子也是脉冲的。脉冲中子的波形对测井仪器来说很关键。
离子源阳极电压波形已经可以做到较理想的方波,但是由于氘气电离涉及较复杂的物理过程,即使阳极电压波形是理想方波,电离产生的氘离子波形仍然会有明显的上升下降沿,轰击靶子产生的脉冲中子波形具有几微秒到几十微秒的延迟,这对各种测井方法来说是很不利。
如何使中子发生管产生较理想波形的中子脉冲,目前提供的很多技术方案都是通过改进离子源的结构和改善离子源阳极电压波形达到这个目的。但是结果显示这些方案根本达不到中子脉冲波形锐截止的目的。
发明内容:
本发明要提供一种中子发生管,以克服现有技术存在的轰击靶子产生的脉冲中子波形具有几微秒到几十微秒的延迟的问题,可达到锐截止的目的。
为了克服现有技术存在的问题,本发明提供的技术方案是:一种中子发生管,包括离子源、外壳、栅极、加速极和靶子,外壳内为真空腔体,其特殊之处在于:所述真空腔体内在离子源与加速极之间设置有薄片状的栅极,该栅极的直径大于外壳直径,栅极平面垂直于中子发生管轴线且在外壳外形成环状台阶,所述栅极由金属钼材料制成,其上设置有网状的孔格。
与现有技术相比,本发明的优点是:
1、本发明通过离子源阳极加直流电压,在中子发生管的加速间隙增加一个栅极,栅极加理想的矩形脉冲电压,可以从离子源引出较理想矩形波形的氘离子脉冲,从而避免了现有技术中存在的离子源电离的复杂物理过程对引出氘离子脉冲波形的影响。采用本发明的结构对中子发生管进行改进,对改进前中子发生管离子源工作状态的扰动很小。
2、本发明增加的栅极,与离子源引出孔和法拉利筒加速极形成了一个离子光学系统,该系统能够保证离子束轰击到全靶面,减少轰击法拉利筒加速电极内表面,有效降低二次电子发射和离子溅射。
3、选择钼作为栅极的材料,结构设计时优化栅极孔的大小和栅极的厚度,以及栅极离离子源引出孔的距离。用于中子发生管的钼栅极按一定的工艺进行装配前和装配后处理,本发明中子发生管的使用寿命,与改进前中子发生管寿命相当。
4、本发明中子发生管产生中子脉冲波形延迟时间可以缩短在5μs以
内,效果非常显著。
附图说明:
图1是本发明的结构示意图。
图2是没有栅极时场强分布及结构中轴线场强曲线。
图3是加入栅极(-1.5kV)时场强分布及结构中轴线场强曲线。
图4是加入栅极(+4kV)时场强分布及结构中轴线场强曲线。
附图标记说明如下:
1:离子源 2:外壳 3:栅极 4:加速极 5:靶子
具体实施方式:
下面将结合附图和实施例对本发明进行详细地说明。
本发明提供的一种中子发生管,包括离子源1、外壳2、栅极3、加速极4和靶子5。所述外壳2由石英玻璃制备而成,其内为真空腔体,所述真空腔体内在离子源1与加速极4之间设置有薄片状的栅极3,该栅极3的直径大于外壳直径,栅极3平面垂直于中子发生管轴线且在外壳2外形成环状台阶,所述栅极3由金属钼材料制备,其上设置有网状的孔格。
栅极电源具有较理想的方波波形,同时幅度及频率、占空比可调。栅极脉冲电压的幅值在-1.5KV—+4KV之间,栅极孔的半径为2.25mm。
本发明的工作原理是:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安工业大学,未经西安工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710749135.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种节能环保型荧光灯
- 下一篇:基于贴片式热敏电阻的补强型FPC板结构