[发明专利]交联聚乙烯电缆绝缘屏蔽隔离接头及其模注制作工艺

权利要求书

1.交联聚乙烯绝缘电缆绝缘屏蔽隔离接头的模注制作工艺，所述交联聚乙烯绝缘电缆由内至外依次至少包括导体线芯、内半导电层、主绝缘层和外半导电层；其中，所述模注制作工艺的特征在于包括以下步骤：

(a).剥除电缆端部处的各层：剥除电缆端部的各层至露出导体线芯，且露出20mm长的内半导电层；

(b).焊接导体线芯：将两个剥除后的电缆端部平行地固定在同一水平面上，将各导体线芯预热至排除湿气后，利用与导体线芯相同材质的焊粉熔接两个导体线芯，待冷却后打磨导体线芯的熔接部分至恢复导体线芯等径；

(c).恢复内半导电层：用半导电布缠绕导体线芯的熔接部分，在导体线芯的熔接部分处安装内半导电层成型器，当预热内半导电层成型器至能够使半导电料熔融温度时，向内半导电层成型器的腔内注入与电缆的内半导电层相同材质的熔融状的半导电料，且进行升温交联，以使得原电缆内半导电层与注入的半导电料之间相互熔融接枝交联，待温度冷却后拆除内半导电层成型器，打磨凝固后的半导电料表面至与原电缆的内半导电层一致；

(d).恢复主绝缘层：在导体线芯的熔接部分处安装绝缘层成型器，绝缘层成型器在其靠近电缆一端部侧设有对应绝缘屏蔽隔离接头应力控制模块的形状的特殊型，当预热绝缘层成型器至能够使交联聚乙烯熔融温度时，向绝缘层成型器的腔内注入与主绝缘层相同材质的熔融状的交联聚乙烯绝缘料，且进行升温交联，以使得注入的交联聚乙烯绝缘料与电缆的主绝缘层的断面、及步骤(c)中的凝固后的半导电料之间相互熔融接枝交联成一绝缘整体，待温度冷却后拆除绝缘料成型器，以得到靠近电缆一端部侧具有对应绝缘屏蔽隔离接头应力控制模块的形状的绝缘型体的凝固的交联聚乙烯绝缘料；

(e).恢复外半导电层：在步骤(c)中得到的凝固的交联聚乙烯绝缘料的具有绝缘型体的一侧处安装外半导电料成型器，外半导电料成型器与该绝缘型体连通，当预热外半导电料成型器至能够使半导电料熔融温度时，向外半导电料成型器的腔内注入与电缆的外半导电层相同材质的熔融状的半导电料，以使得半导电料充满外半导电料成型器和凝固的交联聚乙烯绝缘料的绝缘型体，然后进行升温交联，以使得注入的半导电料与原电缆外半导电层、以及步骤(c)中的凝固的交联聚乙烯绝缘料之间相互熔融接枝交联，待温度冷却后拆除半导电料成型器，以得到绝缘屏蔽隔离接头应力控制模块；

所述应力控制模块为以导体线芯为中心轴线的管状体，整体呈现一端高一端低的内凹型体，其一端与原电缆外半导电层交联融为一体，另一端部延伸至步骤(d)得到的填充主绝缘层内，在所述填充主绝缘层最深处向内设有凹曲面型体，使填充外半导电层复合在填充绝缘的凹曲面上，并与一端原电缆外半导电层剥切端口处相连接。

2.根据权利要求1所述的模注制作工艺，其特征在于：在步骤(c)中注入半导电料前，用半导电布缠绕导体线芯的熔接部分，将内半导电层成型器预热至120℃，然后向内半导电层成型器的腔内注入110℃～120℃的半导电料，直至内半导电层成型器的腔内的压强达到2.5MPa～4MPa时停止注入，加热内半导电层成型器以使得内半导电层成型器保持在150℃～170℃的温度和3.5MPa～5.5MPa的压强下2～3.5小时，从而使原电缆内半导电层与注入的半导电料交联为一体且无可活动界面。

3.根据权利要求1所述的模注制作工艺，其特征在于：在步骤(d)中注入绝缘料前，将绝缘层成型器预热至140℃，然后向绝缘层成型器的腔内注入115℃～125℃的绝缘料，直至绝缘层成型器的腔内的压强达到2MPa～5MPa时停止注入，加热绝缘层成型器并保持在190℃～200℃的温度和2MPa～5MPa的压强下1～2小时，从而使原电缆主绝缘层与交联聚乙烯绝缘料交联为一体。

4.根据权利要求1所述的模注制作工艺，其特征在于：在步骤(e)中注入半导电料前，将外半导电层成型器预热至120℃，然后向外半导电层成型器的腔内注入115℃～125℃的半导电料，直至外半导电层成型器的腔内的压强达到2.5MPa～5.5MPa时停止注入，加热外半导电层成型器以使得外半导电层成型器保持在185℃～200℃的温度和3.5MPa～5.5MPa的压强下3～6小时，从而使原电缆外半导电层与注入的半导电料交联为一体，而无可活动界面。