[发明专利]涉及防伪、认证、密钥的物理不可克隆电路及实现方法

权利要求书

1.一种物理不可克隆功能电路，其特征在于，包括：电流镜矩阵、感知放大器电路以及反馈检测逻辑电路，

所述电流镜矩阵中包括：两个PMOS晶体管,用以在同一时间内形成两个相同的电流镜，

还包括：放置于每个所述电流镜像矩阵中的一组NMOS晶体管，对于不同的激励，则在每个所述电流镜矩阵中的一组NMOS晶体管中选择一个NMOS晶体管组成一个电流镜，

所述感知放大器电路，用以接收从所述电流镜矩阵输出的电压作为输入，并产生响应，

所述反馈控制逻辑电路，用以检测和/或标记不稳定的输出。

2.根据权利要求1所述的物理不可克隆功能电路，其特征在于，所述电流镜矩阵还用以，根据随机输入激励，选择两个电流镜电路进行电压值比较。

3.根据权利要求1所述的物理不可克隆功能电路，其特征在于，还包括：根据所述感知放大器电路的电压输出，所述反馈检测逻辑电路控制打开/关闭对应的开关，用以对两个电流镜的电压输出中的较小一方，增加一微小电压偏移。

4.根据权利要求3所述的物理不可克隆功能电路，其特征在于，若所述感知放大器电路的输出翻转，则两个电流镜的电压输出具有差距。

5.根据权利要求1所述的物理不可克隆功能电路，其特征在于，所述感知放大器电路还用以：通过检测两个电流镜输出电压的差距来判定稳定或不稳定激励响应对，

若两个电流镜输出电压接近时，则判断为容易被噪声干扰而产生不稳定输出，若判断为不稳定激励响应对，则输出为前一个输出的互补值。

6.根据权利要求1-5任一项所述的物理不可克隆功能电路，其特征在于，所述NMOS晶体管采用最小尺寸。

7.根据权利要求1-5任一项所述的物理不可克隆功能电路，其特征在于，所述PMOS晶体管的尺寸与最小化工艺差异呈负相关。

8.根据权利要求1-5任一项所述的物理不可克隆功能电路，其特征在于，所述反馈控制逻辑电路包括：两个D触发器，两个或非门以及一个非门组成，所述反馈控制逻辑电路还用以，根据检测结果标记输出并回收利用。

9.一种基于所述权利要求1-5任一项所述的物理不可克隆功能电路的实现方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1在每个所述电流镜矩阵中选择一个NMOS晶体管作为所述电流镜矩阵中每个电流镜电路中的负载，

S2在所述感知放大器电路将第一输出电压和第二输出电压进行比较，

S3在所述反馈检测逻辑电路中控制对应的开关打开/关闭，

S4标记并循环使用所述不稳定的输出。

10.根据权利要求9所述的实现方法，其特征在，还包括：对所述不稳定的输出并将用码流中前一位的二进制互补值来替代。