[发明专利]一种扩散硅密度变送器

权利要求书

1.一种扩散硅密度变送器，其特征在于，包括:第一基座(11)、第一连接管道(12)、第二基座(13)、第二连接管道(14)、第一扩散硅传感器(15)、第二扩散硅传感器(16)及控制表(17)；所述第一基座(11)具有第一容置空间(111)，所述第一连接管道(12)的一端连接所述第一基座(11)，所述第一连接管道(12)连通所述第一容置空间(111)；所述第二基座(13)连接所述第一连接管道(12)的另一端，所述第二基座(13)具有第二容置空间(131)，所述第二容置空间(131)连通所述第一连接管道(12)；所述第二连接管道(14)的一端连接所述第二基座(13)，所述第二连接管道(14)连通所述第二容置空间(131)；所述第一扩散硅传感器(15)与所述第二扩散硅传感器(16)分别设置于所述第一容置空间(111)与所述第二容置空间(131)，所述第一扩散硅传感器(15)与所述第二扩散硅传感器(16)分别电连接外部电源；所述控制表(17)设置于所述第二连接管道(14)的另一端，并分别通过第一硅胶电缆(151)与第二硅胶电缆(161)电连接所述第一扩散硅传感器(15)与所述第二扩散硅传感器(16)，所述控制表(17)电连接外部电源。

2.根据权利要求1所述的扩散硅密度变送器，其特征在于，所述第一连接管道(12)的一端连接所述第一基座(11)的连接方式为焊接。

3.根据权利要求1所述的扩散硅密度变送器，其特征在于，所述第二基座(13)连接所述第一连接管道(12)的另一端的连接方式为焊接。

4.根据权利要求1所述的扩散硅密度变送器，其特征在于，所述第二连接管道(14)的一端连接所述第二基座(13)的连接方式为焊接。

5.根据权利要求1所述的扩散硅密度变送器，其特征在于，所述控制表(17)包括控制壳体(171)、控制模块(172)、数字显示屏(173)、调校按键(174)及信号输出线(175)；所述控制壳体(171)连接所述第二连接管道(14)的另一端；所述控制模块(172)位于所述控制壳体(171)内，并分别通过所述第一硅胶电缆(151)与第二硅胶电缆(161)电连接所述第一扩散硅传感器(15)与第二扩散硅传感器(16)，所述控制模块(172)电连接外部电源；所述数字显示屏(173)设置于所述控制壳体(171)，并通过电缆连接所述控制模块(172)；所述调校按键(174)设置于所述控制壳体(171)，并位于所述数字显示屏(173)的一侧，所述调校按键(174)电连接所述控制模块(172)；所述信号输出线(175)设置于所述控制壳体(171)的侧壁，并电连接所述控制模块(172)。

6.根据权利要求5所述的扩散硅密度变送器，其特征在于，所述控制模块(172)包括单片机(1721)及信号调理电路(1722)，所述单片机(1721)分别电连接所述数字显示屏(173)、调校按键(174)、信号输出线(175)及外部电源，所述信号调理电路(1722)分别电连接所述单片机(1721)、第一扩散硅传感器(15)及第二扩散硅传感器(16)。

7.根据权利要求6所述的扩散硅密度变送器，其特征在于，所述单片机(1721)为MPS430系列单片机。

8.根据权利要求1所述的扩散硅密度变送器，其特征在于，还包括第一密封圈(152)，所述第一密封圈(152)位于所述第一容置空间(111)的内侧壁与所述第一扩散硅传感器(15)之间。

9.根据权利要求1所述的扩散硅密度变送器，其特征在于，还包括第二密封圈(162)，所述第二密封圈(162)位于所述第二容置空间(131)与所述第二扩散硅传感器(16)之间。