[发明专利]一种富硅玉米的种植方法

权利要求书

1.一种富硅玉米种植方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)种子预处理：将玉米种子用2％次氯酸钾消毒10min，用蒸馏水清洗干净；

(2)催芽育苗：

a.催芽：将洗干净的种子置于恒温箱中催芽，温度控制在25-30℃，催芽时间为2d，至80％以上种子发芽；

b.转入定植杯育苗，杯底先装入固定用的陶粒至杯沿1-2cm处，每杯播6颗种子，覆细沙0.5-1cm，用育苗营养液润湿；

(3)移栽准备：栽培槽覆上基质；

(4)幼苗移栽：幼苗具3片真叶时，移栽至栽培槽，用种植营养液培养至幼苗具5片真叶时间苗定苗；去除长势弱小的苗株，株距长80-85cm，宽20-25cm，覆蛭石2-3cm；

(5)拔节期追肥：玉米拔节期开始每5天喷施一次含硅氮钾肥，至吐丝期结束；

(6)吐丝期追肥：玉米吐丝期开始每5天喷施一次氮磷肥，30天结束；

(7)吐丝期后追肥：吐丝期后30天开始，每5天喷施一次含硅液肥；

(8)种植管理：移栽后种植营养液每周添加一次，润湿基质但不可使基质浮起；

(9)采收：吐丝后50-55天，玉米完熟后采收。

2.根据权利要求1所述的一种富硅玉米种植方法，其特征在于，所述的育苗营养液包括以下成分：

四水硝酸钙378-566mg/L、

硝酸钾162-242mg/L、

硝酸铵64-96mg/L、

磷酸二氢钾80-120mg/L、

硫酸钾139-209mg/L、

硅酸钾170-256mg/L、

生根营养液16-24mg/L。

3.根据权利要求2所述的一种富硅玉米种植方法，其特征在于，所述的生根营养液成分为吲哚丁酸钾和α-萘乙酸钠。

4.根据权利要求3所述的一种富硅玉米种植方法，其特征在于，所述的吲哚丁酸钾与α-萘乙酸钠的比例为1:4。

5.根据权利要求1所述的一种富硅玉米种植方法，其特征在于，所述的种植营养液包括以下成分：

硝酸钙328-492mg/L、

硫酸钾139-209mg/L、

硫酸镁62-94mg/L、

氯化钙444-666mg/L、

硼酸50-74μg/L、

硫酸锰242-362μg/L、

硫酸锌129-193μg/L、

硫酸铜38-58μg/L、

钼酸铵78-118μg/L、

FeC₆H₅O₇39-59mg/L、

磷酸二氢钾109-163mg/L、

硅酸钾116-231mg/L、

柠檬酸1.85-2.05g/L。

6.根据权利要求5所述的一种富硅玉米种植方法，其特征在于，所述的种植营养液pH为5.5-6.0。

7.根据权利要求1所述的一种富硅玉米种植方法，其特征在于，所述的含硅钾肥浓度为0.1-0.2％，成分为硝酸钾和硅酸钾，比例为1:1。

8.根据权利要求1所述的一种富硅玉米种植方法，其特征在于，所述的氮磷肥浓度为0.1-0.2％，成分为硝酸钾和磷酸氢钾，比例为1:1。

9.根据权利要求1所述的一种富硅玉米种植方法，其特征在于，所述的含硅液肥成分包括硝酸钾和磷酸氢钾，比例为1:1，浓度为0.1-0.2％。

10.根据权利要求9所述的一种富硅玉米种植方法，其特征在于，所述的含硅液肥成分还包括硅酸钾，浓度为1.0-1.5％。