[发明专利]变频控制方法、变频控制装置和离子发生器在审

专利信息
申请号: 201710711809.9 申请日: 2017-08-18
公开(公告)号: CN107394999A 公开(公告)日: 2017-11-24
发明(设计)人: 麦智炜;王碧滢;阮兆忠 申请(专利权)人: 广东美的制冷设备有限公司
主分类号: H02M1/06 分类号: H02M1/06;H02M3/335;B01D49/00
代理公司: 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙)11343 代理人: 尚志峰,汪海屏
地址: 528311 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 变频 控制 方法 装置 离子 发生器
【权利要求书】:

1.一种变频控制方法,适用于升压驱动组件,所述升压驱动组件设有可控硅开关,其特征在于,所述变频控制方法包括:

根据基波频率对应的预设三角波脉冲,生成抖频信号;

按照所述抖频信号的频率生成脉冲信号并传输至所述可控硅开关。

2.根据权利要求1所述的变频控制方法,其特征在于,

所述抖频信号的最小频率为所述基波频率减去预设偏移频率的频率差,

所述抖频信号的最大频率为所述基波频率加上预设偏移频率的频率和。

3.根据权利要求2所述的变频控制方法,其特征在于,生成抖频信号,具体包括:

按照预设周期生成所述抖频信号,所述预设周期包括第一时段和第二时段,在所述第一时段内控制所述抖频信号按照第一斜率由所述抖频信号的最小频率升高至所述抖频信号的最大频率,

其中,所述第一时段大于零且小于或等于所述预设周期,所述第二时段大于或等于零。

4.根据权利要求3所述的变频控制方法,其特征在于,还包括:

所述第二时段大于零时,在所述第二时段内控制所述抖频信号按照第二斜率由所述抖频信号的最大频率降低至所述抖频信号的最小频率。

5.根据权利要求3或4所述的变频控制方法,其特征在于,

所述第一时段的时长大于或等于所述第二时段的时长。

6.一种变频控制装置,适用于升压驱动组件,所述升压驱动组件设有可控硅开关,其特征在于,所述变频控制装置包括:

生成单元,用于根据基波频率对应的预设三角波脉冲,生成抖频信号;

所述生成单元还用于:按照所述抖频信号的频率生成脉冲信号并传输至所述可控硅开关。

7.根据权利要求6所述的变频控制装置,其特征在于,

所述抖频信号的最小频率为所述基波频率减去预设偏移频率的频率差,

所述抖频信号的最大频率为所述基波频率加上预设偏移频率的频率和。

8.根据权利要求7所述的变频控制装置,其特征在于,

所述生成单元还用于:按照预设周期生成所述抖频信号,所述预设周期包括第一时段和第二时段,在所述第一时段内控制所述抖频信号按照第一斜率由所述抖频信号的最小频率升高至所述抖频信号的最大频率,

其中,所述第一时段大于零且小于或等于所述预设周期,所述第二时段大于或等于零。

9.根据权利要求8所述的变频控制装置,其特征在于,

所述生成单元还用于:所述第二时段大于零时,在所述第二时段内控制所述抖频信号按照第二斜率由所述抖频信号的最大频率降低至所述抖频信号的最小频率。

10.根据权利要求8或9所述的变频控制装置,其特征在于,

所述第一时段的时长大于或等于所述第二时段的时长。

11.一种离子发生器,其特征在于,包括:

离子发生组件;

升压驱动组件,所述升压驱动组件包括配合设置的第一变压线圈和第二变压线圈,所述第一变压线圈在导通时接入直流电压,同时,所述第二变压线圈输出负载电压至所述离子发生组件;

可控硅开关,串联于所述第一变压线圈,所述可控硅开关根据权利要求1至5中任一项所述的变频控制方法控制所述第一变压线圈的导通状态;

和/或包括如权利要求6至10中任一项所述的变频控制装置,所述变频控制装置包括所述可控硅开关。

12.根据权利要求11所述的离子发生器,其特征在于,

所述第一变压线圈的圈数小于所述第二变压线圈的圈数。

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