[发明专利]声波传感器

权利要求书

1.一种声波传感器，具有：

能够通过待检测的声波偏转的连续的膜片，以及

在膜片上提供的压电层，所述压电层具有多个压电层部段，所述压电层部段分别配置有至少两个各自的电接触结构，所述电接触结构设置用于与相应的所述压电层部段电接触，其中对应于不同压电层部段的电接触结构彼此分开。

2.根据权利要求1所述的声波传感器，其中所述多个压电层部段具有内压电层部段和外压电层部段，其中所述外压电层部段比所述内压电层部段布置在更接近所述膜片的外周处，

其中所述内压电层部段可选地大致布置在所述膜片的中间部段中。

3.根据权利要求1或2中任一项所述的声波传感器，其中所述内压电层部段和所述外压电层部段中的至少一者或两者具有实质上旋转对称的形状。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的声波传感器，其中所述内压电层部段和所述外压电层部段中的至少一者或两者具有环形的形状。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的声波传感器，其中至少一个压电层部段或所有压电层部段具有多个在所述膜片周向上依次布置的压电层部段区段。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的声波传感器，其中所述压电层部段中的至少两个彼此电串联连接；或/和

其中压电层部段的多个压电层部段区段中的至少两个或全部彼此电串联连接。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的声波传感器，其中至少一个压电层部段的电接触结构具有电极对，所述电极对对应于用于与所述压电层部段电接触的所述压电层部段。

8.根据权利要求7所述的声波传感器，其中所述电极对具有上电极和下电极，其中对应于所述上电极和所述下电极的压电层部段在与所述膜片的厚度方向平行的方向上至少部分地布置在所述上电极和所述下电极之间。

9.根据权利要求5和8所述的声波传感器，其中所述上电极和所述下电极具有对应于相应的所述压电层部段区段的上电极区段或下电极区段，其中所述压电层部段区段在与所述膜片的厚度方向平行的方向上布置在相应的所述上电极区段和所述下电极区段之间。

10.根据权利要求6和9所述的声波传感器，其中在所述膜片周向上布置在两个紧邻的压电层部段区段之间的压电层部段区段的所述下电极区段与所述相邻压电层部段区段中的一个压电层部段区段的上电极区段电连接，并且所述压电层部段区段的所述上电极区段与相应的所述相邻压电层部段区段中的另一个压电层部段区段的下电极区段电连接。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的声波传感器，还具有：支撑所述膜片的保持件。

12.根据权利要求11所述的声波传感器，其中所述保持件凸出超过所述膜片的与所述压电层对置的面。

13.根据权利要求12所述的声波传感器，其中所述保持件与所述膜片的外周处于物理接触，

其中所述保持件可选地在所述膜片的周向上与所述膜片的超过50％的外周处于连续物理接触，

其中所述保持件进一步可选地在所述膜片的周向上与所述膜片的超过75％的外周处于连续物理接触，

其中所述保持件进一步可选地与所述膜片的整个外周处于连续物理接触。

14.根据权利要求13所述的声波传感器，其中所述保持件具有大致呈环区段状的形状或大致呈环形的形状。

15.根据权利要求1至14中任一项所述的声波传感器，其中所述膜片具有在约500μm至约2000μm范围中的直径，或/和其中所述膜片具有在约100nm至约1000nm范围中的厚度。

16.根据权利要求1至15中任一项所述的声波传感器，其中所述压电层具有在约100nm至约500nm范围中的厚度。

17.根据权利要求7至16中任一项所述的声波传感器，其中所述电极中的至少一个或所有电极具有在约100nm至约300nm范围中的厚度。