[发明专利]存储数据处理方法和装置

说明书

本发明公开了存储数据处理方法和装置，采用专门的后台程序会定时检测闪存区域上的需要处理的数据块，即待修改数据块，如果待修改数据块超过一定的个数阈值，则获取每个待修改数据块的操作信息，对这几个待修改数据块一起进行整体操作处理。因此，可以减少对数据块的频繁擦除操作，从而可以避免频繁擦除导致闪存数据块容易损坏的情况。

技术领域

本发明涉及存储技术领域，尤其涉及一种存储数据处理方法和装置。

背景技术

NAND flash是一种掉电非易失的存储器,一种闪存，用于数据存储领域。NAND的写回速度比较块，擦除速度比较慢。NAND flash以页为单位读写数据，而以块为单位擦除数据。在NANDflash中每个块都有最大擦写次数，多次频繁擦写容易导致flash块损坏。

发明内容

本发明提供一种存储数据处理方法和装置，可以解决存储在闪存上的小数据由于频繁擦写导致软件执行速度慢，闪存数据块容易损坏的问题

本发明提供一种存储数据处理方法，包括：

检测闪存区域中待修改数据块的个数，所述待修改数据块为携带有修改标识的数据块；

当所述待修改数据块的个数大于预设的个数阈值时，获取每个待修改数据块的修改操作信息，每个待修改数据块的修改操作信息中包括对应的待修改数据块所在的闪存页的页标识和块标识以及修改标识；

根据每个修改操作信息对其对应的待修改数据块进行相应的修改操作。

可选地，所述的存储数据处理方法，还包括：

检测到对所述闪存区域中的数据块进行修改操作时，且检测到所述闪存区域中待修改数据块的个数小于等于预设的个数阈值；

通过在所述数据块中添加对应的修改标识将所述数据块标识为待修改数据块；

记录所述数据块的修改操作信息，将所述记录的修改操作信息保存到所述闪存区域的元数据库中。

可选地，记录所述数据块的修改操作信息，包括：

若所述修改标识为删除标识，则将所述数据块所在的闪存页的页标识和块标识以及删除标识记录为所述数据块的修改操作信息；或者

若所述修改标识为写入标识，则将新数据块写入到新闪存页中，将所述数据块所在的闪存页的页标识和块标识、所述新数据块所在的新闪存页的页标识和块标识、写入标识记录为所述数据块的修改操作信息。

可选地，检测闪存区域中待修改数据块的个数，包括：

检测所述闪存区域中携带有修改标识的数据块的个数，将携带有修改标识的数据块的个数确定为待修改数据块的个数，所述待修改数据块为携带有修改标识的小数据块；或者

检测所述元数据库中的修改操作信息的个数，将所述修改操作信息的个数确定为待修改数据块的个数。

可选地，根据每个修改操作信息对其对应的待修改数据块进行相应的修改操作，包括：

根据所述修改操作信息中包括的待修改数据块所在的闪存页的页标识和块标识以及删除标识，在所述页标识对应的闪存页中对所述块标识对应的数据块进行删除操作；或者

根据所述修改操作信息中包括的待修改数据块所在的闪存页的页标识和块标识、新数据块所在的新闪存页的页标识和块标识以及写入标识，在所述新闪存页的页标识对应的新闪存页中获取所述块标识对应的新数据块，将所述新数据块写入到所述待修改数据块所在的闪存页中与所述块标识对应的数据块进行数据更新操作，对所述新闪存页中的数据进行整体删除。

可选地，所述的存储数据处理方法还包括：