[发明专利]显示装置

说明书

本发明提供一种能够改善显示特性、降低制造成本的显示装置。显示装置的特征在于，具有排列在基板的表面的多个像素，上述多个像素各自包含发光元件、驱动晶体管、选择晶体管和保持电容，上述驱动晶体管具有底栅结构，上述驱动晶体管的半导体层包含第一半导体，上述保持电容具有第一电极和第二电极，上述第一电极与上述驱动晶体管的栅极是共用的，上述第二电极配置在比上述第一电极靠下层的位置，且包含第二半导体。

技术领域

本发明涉及一种显示装置，特别是涉及一种使用硅类半导体及氧化物半导体的显示装置。

背景技术

液晶显示装置所使用的低温多晶硅(LTPS：Low Temperture Poly-Silicom)具有高的载流子迁移率，因此被广泛应用于现在的中小型显示装置。在有机EL显示装置中，以LTPS技术为基础正在进行阵列工序的开发。

但是，在准分子激光退火(ELA)工序中，充分地形成不均少的LTPS层是困难的。LTPS的不均引起的薄膜晶体管(TFT：Thin Film Transistor)特性的偏差，往往会成为有机EL显示装置的亮度不均等的原因。

于是，在周边电路或者像素内形成校正电路，进行减小TFT特性的偏差的对策。另外，在ELA工序中，也可以进行如多次重复照射激光那样的对策。但是，这样的对策在装置成本、激光的材料成本等方面存在问题。

于是，对于耗电量减少或者晶体管特性的偏差对策来说，不仅研究了使用驱动能力高的多晶硅制作的晶体管，还研究了使用期待特性偏差小的透明非晶氧化物半导体的晶体管。

例如专利文献1中公开了一种显示装置，在其一个像素中具有两个以上的晶体管，两个以上的晶体管包含沟道半导体层是多晶硅的第一晶体管和沟道半导体层是氧化物半导体的第二晶体管。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2015－225104号公报

也就是说，专利文献1记载的发明中，在一个像素共同存在沟道半导体层为多晶硅的第一晶体管和沟道半导体层为氧化物半导体的第二晶体管。

但是，在专利文献1中并没有公开：不仅是在多个像素电路中，而且在包含驱动这些像素电路的驱动电路的电路中，共同存在沟道半导体层为不同的半导体材料的晶体管。

发明内容

于是，本发明的目的在于，提供一种显示装置，在多个像素电路及包含驱动这些像素电路的驱动电路的电路中，通过使沟道半导体层为不同的半导体材料的晶体管共同存在，来改善显示特性，降低制造成本。

用于解决问题的技术方案

本发明一实施方式的显示装置，其具有排列在基板的表面的多个像素，其特征在于：上述多个像素各自包含发光元件、驱动晶体管、选择晶体管和保持电容，上述驱动晶体管具有底栅结构，上述驱动晶体管的半导体层包含第一半导体，上述保持电容具有第一电极和第二电极，上述第一电极与上述驱动晶体管的栅极是共用的，上述第二电极配置于比上述第一电极靠下层的位置，且包含第二半导体。

发明效果

根据本发明的显示装置，能够改善显示特性，降低制造成本。

附图说明

图1是说明本发明一实施方式的显示装置的概略结构的立体图。

图2是说明本发明一实施方式的显示装置的电路结构的电路图。

图3是说明本发明一实施方式的显示装置的像素具有的像素电路的电路结构的电路图。

图4是说明本发明一实施方式的显示装置的像素的结构的俯视图。

图5是说明本发明一实施方式的显示装置的像素的结构的剖视图。