[发明专利]一种旁路电路及PSE设备在审
申请号: | 201710671176.3 | 申请日: | 2017-08-08 |
公开(公告)号: | CN107453881A | 公开(公告)日: | 2017-12-08 |
发明(设计)人: | 李汝虎;蔡舒宏 | 申请(专利权)人: | 博为科技有限公司 |
主分类号: | H04L12/10 | 分类号: | H04L12/10;G01R19/00 |
代理公司: | 北京众达德权知识产权代理有限公司11570 | 代理人: | 刘杰 |
地址: | 314006 浙江省嘉*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 旁路 电路 pse 设备 | ||
技术领域
本发明涉及通信设备技术领域,特别涉及一种旁路电路及PSE设备。
背景技术
通常,PSE(供电设备,Power Sourcing Equipment)给PD(受电设备,Powered Device)供电需要经过侦测、分级、开始供电(Startup)和供电(Operation)四个过程,采样电阻一直串连在PSE供电线路上,特别地,在整个正常供电阶段,采样电阻一直消耗着功耗。
目前,PoE(有源以太网,Power Over Ethernet)的标准主要有IEEE 802.3af和IEEE802.3at,支持PD功耗高达25.5w。另外,还有业界使用较为广泛的Linear公司提出的非标LTPoE++,支持高达90w的PD功耗。PSE采样电阻串联于PSE和PD的供电电路中,功耗为P(W)=n*[PPD(W)/U(V)]2*R(Ω),其中n为PSE芯片可提供的输出端口数量,随着PD功耗的增加,PSE电源效率越低,发热量越大。有些芯片方案,如Broadcom公司的BCM59111,采样电阻内置于芯片中,每一路输出串接一个0.35Ω的采样电阻,热量将集中在芯片内部。而有些芯片方案,如Linear公司的LTC4266,采样电阻在芯片外,支持4端口输出,每一路输出串接一个0.25Ω的采样电阻,单端口输出90W/48V时,这颗采样电阻功耗最大将达到P(W)=n*[PPD(W)/U(V)]2*R(Ω)=1*(90W/48V)2*0.25Ω=0.88W,虽然热量不集中与芯片内部,但是采样电阻功耗增加,影响电源效率,且无法提供更大功耗的PD。
综上所述,在现有技术中,在包含PSE和PD的电路中,无论是将采样电阻内置还是外设,在整个供电阶段,采样电阻将会一直消耗着功耗,因此,存在采样电阻消耗功耗高的问题。
发明内容
本发明提供一种旁路电路及PSE设备,解决了或部分解决了现有技术中在包含PSE和PD的电路中,无论是将采样电阻内置还是外设,在整个供电阶段,采样电阻将会一直消耗着功耗的技术问题。
为解决上述技术问题,本发明提供了一种旁路电路包括:PSE供电电源、采样电路、MOS管、控制信号输入接口、采样信号监测接口;所述PSE供电电源通过所述采样电路与所述采样信号监测接口连接;所述PSE供电电源和所述采样电路之间具有第一连接节点,所述第一连接节点与所述MOS管的源极连接;所述采样电路和所述采样信号监测接口之间具有第二连接节点,所述第二连接节点与所述MOS管的漏极连接;所述MOS管的栅极与所述控制信号输入接口连接;其中,所述控制信号输入接口接入用于控制所述MOS管导通或截止的脉冲信号。
进一步地,所述采样电路包含采样电阻。
进一步地,所述MOS管包括:NMOS管;所述NMOS的源极与所述PSE供电电源的负极连接,所述NMOS管的漏极与所述第二连接节点连接,所述NMOS管的栅极与所述控制信号输入接口连接。
进一步地,所述MOS管包括:PMOS管;所述PMOS的源极与所述PSE供电电源的正极连接,所述PMOS管的漏极与所述第二连接节点连接,所述PMOS管的栅极与所述控制信号输入接口连接。
进一步地,所述脉冲信号为周期性信号。
进一步地,所述脉冲信号的占空比为10-90%。
基于相同的发明构思,本发明还提供一种PSE设备,所述PSE设备包括旁路电路。
本申请实施例中提供的一个或多个技术方案,至少具有如下技术效果或优点:
PSE供电电源通过采样电路与采样信号监测接口连接,PSE供电电源和采样电路之间具有第一连接节点,第一连接节点与MOS管的源极连接,采样电路和采样信号监测接口之间具有第二连接节点,第二连接节点与MOS管的漏极连接,MOS管的栅极与控制信号输入接口连接,控制信号输入接口接入用于控制MOS管导通或截止的脉冲信号,在正常供电阶段,采用MOS管将采样电路旁路,周期性关闭MOS管,可以通过采样信号监测接口周期性采样,在短时间内有电流通过采样电路,消耗功耗低,减少热量累积,可以支持更大功耗输出,可不必采用较小阻值的电路,降低对采样电路设计精度的要求,易于实现。
附图说明
图1为本发明实施例提供的旁路电路的NMOS管的连接示意图;
图2为本发明实施例提供的旁路电路的PMOS管的连接示意图。
具体实施方式
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