[发明专利]一种用于可见光通信发射机的LED驱动专用集成电路有效
申请号: | 201710651956.1 | 申请日: | 2017-08-02 |
公开(公告)号: | CN109391324B | 公开(公告)日: | 2022-02-01 |
发明(设计)人: | 毛陆虹;吴意诚;谢生 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | H04B10/116 | 分类号: | H04B10/116;H04B10/50 |
代理公司: | 天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙) 12214 | 代理人: | 王秀奎 |
地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 可见 光通信 发射机 led 驱动 专用 集成电路 | ||
本发明公开一种用于可见光通信发射机的LED驱动专用集成电路,采用三级预加重电路,用于提高由于LED频率响应较低而造成的VLC系统过窄的调制带宽;采用源极跟随器驱动交流耦合的GaNFET电路,可驱动大功率LED,用于给LED提供合适的工作电流,使其处于工作区;整流电路采用GaNFET与超快恢复二极管并联的方式,用于提高数据传输速度以及LED驱动电路的效率。本发明使用多级模拟预加重技术提升LED较低的调制带宽,整体采用标准的CMOS工艺实现,有集成度高、成本低、易于大规模生产等优点,并且采用GaNFET所构成的驱动电路以及整流电路,有功率高,速度快,效率高等优点,使可见光通信系统向实用化迈出重要一步。
技术领域
本发明属于可见光通信(Visible Light Communication,VLC)技术领域,涉及一种采用CMOS工艺实现的LED驱动集成电路。
背景技术
近年来,随着电子科技的高速发展,智能设备的用户总数和普及率逐年大幅度增加,随之增长的是人们对高速宽带多媒体通信的需求。可见光通信(Visible LightCommunication,简称VLC),作为一种无线通信领域新兴的技术,是在白光LED技术的基础上发展起来的。和传统的照明光源相比,白光LED是一种杰出的绿色照明光源,它的亮度高、尺寸小、功耗低、驱动容易、使用寿命长、绿色环保,特别是响应灵敏度很高,拥有良好的调制特性,因此可以用来进行数据通信。
室内可见光通信与目前常见的射频无线通信相比,具有速度快、耗能低、安全性高、保密性好以及置备成本较低等优点,以及作为一项新兴技术,将照明与通信领域结合在一起,所以VLC技术具备广阔的发展前景,引起了研究者们的广泛关注以及深入研究。可见光通信系统的研究在近两年兴起,但由于LED调制带宽低的原因而极大限制了系统的传输速率,并且严重制约着可见光通信的发展。为解决这一问题,预加重技术逐渐引起人们的注意。此外,设计用于可见光通信LED驱动的专用集成电路处于创新研发阶段,这方面鲜有报道。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足,提供一种用于可见光通信发射机的LED驱动专用集成电路,通过新的系统拓扑结构,使用多级模拟预加重技术提升LED较低的调制带宽。
本发明的技术目的通过下述技术方案予以实现:
一种用于可见光通信发射机的LED驱动专用集成电路,由三级预加重电路、LED驱动电路和整流电路组成,其中:
三级预加重电路,用于提高由于LED频率响应较低而造成的VLC系统过窄的调制带宽;第四级采用源级跟随器提高带负载能力,包括供电电源VDD、MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3、MOS管M4、电容C1、电容C2、电容C3、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9,其中供电电源VDD分别与电阻R1、电阻R3、电阻R5、电阻R7和MOS管M4的漏极相连;电容C1、电容C2、电容C3、电阻R2、电阻R4、电阻R6、电阻R8、电阻R9与接地GND相连;MOS管M4的源极分别与电阻R9和LED驱动电路的电容C4相连;电阻R1和电阻R2分别与MOS管M1的栅极相连,MOS管M1的漏极分别与电阻R3、MOS管M2的栅极相连,电阻R4和电容C1组成并联RC结构与MOS管M1的源极相连;MOS管M2的漏极分别与电阻R5、MOS管M3的栅极相连,电阻R6和电容C2组成并联RC结构并与MOS管M2的源极相连;MOS管M3的漏极分别与电阻R7、MOS管M4的栅极相连,电阻R8和电容C3组成并联RC结构并与MOS管M3的源极相连。
在三级预加重电路中,以第一级为例,以此类推三级,R1与R2组成M1管的偏置电路,与其栅极相连,为MOS提供合适的静态工作点,R3作为负载与M1管的漏极相连,R4与C1的并联RC结构作为源极负反馈与M1的源极相连,起到预加重的作用,提高信号的高频分量,从而提高LED的调制带宽。供电电源VDD为高电频供电电源。电路信号自信号输入端Vin进入三级预加重电路中,信号输入端Vin与电阻R1、电阻R2和MOS管M1的栅极相连。
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