[发明专利]射频电路、天线装置及电子设备

权利要求书

1.一种射频电路，其特征在于，包括射频收发器、射频电路开关芯片、合路器以及天线，所述射频收发器、射频电路开关芯片、合路器以及天线依次连接；

所述射频电路开关芯片包括第一相位偏移组件、第二相位偏移组件、第一开关、第二开关、第三开关；

所述第一相位偏移组件的输入端连接所述射频收发器的高频发射端口，所述第一相位偏移组件的输出端连接所述第一开关的输入端；

所述第二相位偏移组件的输入端连接所述射频收发器的中频发射端口，所述第二相位偏移组件的输出端连接所述第二开关的输入端；

所述第三开关的输入端连接所述射频收发器的低频发射端口；

所述第一开关和第二开关的输出端连接形成开关输出端口，所述开关输出端口位于所述射频电路开关芯片的内部，所述开关输出端口和所述第三开关的输出端连接至所述合路器的输入端；

当所述第一开关和所述第二开关将所述第一相位偏移组件以及所述第二相位偏移组件均与所述合路器接通，且所述第三开关接通所述低频发射端口和所述合路器时，所述第一相位偏移组件将所述高频发射端口输出的高频射频信号的相位偏移量调整至第一预设值，所述第二相位偏移组件将所述中频发射端口输出的中频射频信号的相位偏移量调整至第二预设值，以使所述高频射频信号的传输通路相对于所述中频射频信号截止，所述中频射频信号的传输通路相对于所述高频射频信号截止，从而使得所述高频射频信号以及所述中频射频信号实现载波聚合以得到聚合信号，所述合路器将所述聚合信号以及所述低频发射端口输出的低频射频信号载波聚合。

2.根据权利要求1所述的射频电路，其特征在于，所述射频开关芯片包括第一输出端口和第二输出端口，所述开关输出端口和所述第一输出端口连接，所述第三开关的输出端和所述第二输出端口连接，所述第一输出端口和所述第二输出端口连接至所述合路器的输入端。

3.根据权利要求1所述的射频电路，其特征在于，所述第一开关、所述第二开关和所述第三开关均为单刀多掷开关。

4.根据权利要求1所述的射频电路，其特征在于，所述高频发射端口的数量至少为两个，所述第一相位偏移组件至少包括两个第一相位偏移器，每一所述高频发射端口分别通过一所述第一相位偏移器与所述第一开关连接，所述第一开关用于将每一所述第一相位偏移器与所述合路器接通。

5.根据权利要求1所述的射频电路，其特征在于，所述中频发射端口的数量至少为两个，所述第二相位偏移组件至少包括两个第二相位偏移器，每一所述中频发射端口分别通过一所述第二相位偏移器与所述第二开关连接，所述第二开关用于将每一所述第二相位偏移器与所述合路器接通。

6.根据权利要求1所述的射频电路，其特征在于，所述高频发射端口包括N₁个不同频段的子发射端口，所述第一开关的输入端包括N₁个高频子输入端口，所述N₁个子发射端口与所述N₁个高频子输入端口一一连接；

所述中频端口包括N₂个不同频段的子发射端口，所述第二开关的输入端包括N₂个中频子输入端口，所述N₂个子发射端口与所述N₂个中频子输入端口一一连接；

所述低频端口包括N₃个不同频段的子发射端口，所述第三开关的输入端包括N₃个低频子输入端口，所述N₃个子发射端口与所述N₃个低频子输入端口一一连接；

其中，N₁、N₂、N₃均为大于1的自然数。

7.根据权利要求6所述的射频电路，其特征在于，所述高频发射端口的每一个子发射端口与所述第一开关的每一个对应高频子输入端口之间、所述中频发射端口的每一个子发射端口与所述第二开关的每一个对应中频子输入端口之间、所述低频端口的每一个子发射端口与所述第三开关的每一个对应低频子输入端口之间均连接有功率放大器。