[发明专利]实现CMOS图像传感器于像素合成模式下的相位对焦方法在审
申请号: | 201710606819.6 | 申请日: | 2017-07-24 |
公开(公告)号: | CN109302559A | 公开(公告)日: | 2019-02-01 |
发明(设计)人: | 赵立新;胡佳 | 申请(专利权)人: | 格科微电子(上海)有限公司 |
主分类号: | H04N5/232 | 分类号: | H04N5/232;H04N5/374;H04N9/04 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201203 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 像素结构 像素合成 像素单元 对焦 组块 快速对焦 相位信息 遮挡 图像传感器像素 智能便携设备 彩色滤光膜 对焦状态 高感光度 获取信号 位置一致 应用需求 遮挡区域 比对 拍照 保证 | ||
本发明提出一种实现CMOS图像传感器于像素合成模式下的相位对焦方法,提供具有相同彩色滤光膜的四像素结构;所述相邻的4个四像素结构为一组块;所述若干组块组成图像传感器像素阵列;对若干组块中对应的四像素结构中的至少两个像素单元进行部分遮挡,同一四像素结构内像素单元的遮挡区域位置一致;在像素合成模式下,基于若干的所述四像素结构中至少两个像素单元的部分遮挡,获取信号信息并提取相应的相位信息,将对焦状态与所述相位信息进行比对,实现四像素结构的像素合成模式下的快速对焦。本发明的实现CMOS图像传感器于像素合成模式下的相位对焦方法,既能保证较高感光度,又能快速对焦,从而满足更多的智能便携设备的拍照应用需求。
技术领域
本发明涉及一种实现CMOS图像传感器于像素合成(binning)模式下的相位对焦方法。
背景技术
随着智能手机的日益普及,人们对移动智能终端的图像拍摄效果也提出了越来越高的要求,在一些动态场景中,能够实现快速对焦,并且清晰地抓拍下一些转瞬即逝的影像,成为越来越多人的需求。同时,应对多变场景,对于高动态范围,高感光度的要求也越来越高。
目前比较先进的对焦技术是相位检测自动对焦(PDAF)技术,可以实现更加快速的对焦。目前实现PDAF,主要是利用光路上的金属结构进行额外的遮挡,来提取相位的信息,多遮挡的像素结构,收集到的信号信息里会携带相位信息,相位信息通过算法被提取出来,随着物体与焦平面的位置的变化,相位信息也会产生变化,对于设计好的结构所提取出的离焦到合焦的相位信息,可以拟合出一条曲线,当实际场景去检测离焦物体的位置的时候,可以很快的计算出移动多少可以到达合焦的位置,进而实现快速对焦。
如图1所示,在采用传统RGB拜耳阵列结构的CMOS图像传感器中,常用的PDAF多遮挡结构通常是在同一列的像素上,例如同一列的蓝色(B)像素上,两个多遮挡的像素结构中间会间隔一个B像素,当然,这种结构也不局限于此,但都是一对多遮挡结构的形式出现,一对多遮挡结构中包含一个左遮挡和一个右遮挡的结构,同时这一对多遮挡结构的像素颜色会被替换为绿色(G)或者白色(W),以增加透过率。
但是,目前一些高像素的图像传感器,不采用传统的RGB拜耳阵列结构,而是采用四像素(4cell)结构,如图2所示,具体是以2×2个相同颜色的像素单元为一四像素结构,相邻的4个四像素结构再做RGB的排布,构成一组块;所述若干组块组成图像传感器像素阵列;这种结构可以实现信号级别的像素合成,以实现像素合成模式下更高的感光度。
但是,如果沿用现有的PDAF遮挡结构在四像素结构的图像传感器上,就没有办法提取出相位信息了,所以目前的这种四像素结构的图像传感器,在像素合成模式下,是无法实现PDAF功能的,这对于一些人们越来越常遇到的场景拍照的应用需求,比如随时随地前摄自拍等应用需求,是无法满足用户需要的。
发明内容
本发明的目的在于提供一种实现CMOS图像传感器于像素合成模式下的相位对焦方法,既能保证较高感光度,又能快速对焦,满足更多的智能便携设备的拍照应用需求。
基于以上考虑,本发明提出一种实现CMOS图像传感器于像素合成模式下的相位对焦方法,提供具有相同彩色滤光膜的四像素结构;所述相邻的4个四像素结构为一组块;所述若干组块组成图像传感器像素阵列;对若干组块中对应的四像素结构中的至少两个像素单元进行部分遮挡,同一四像素结构内像素单元的遮挡区域位置一致;在像素合成模式下,基于若干的所述四像素结构中至少两个像素单元的部分遮挡,获取信号信息并提取相应的相位信息,将对焦状态与所述相位信息进行比对,实现四像素结构的像素合成模式下的快速对焦。
优选的,对若干组块中对应的四像素结构中的全部四个像素单元均进行部分遮挡。
优选的,所述若干组块中,若干第一组块中四像素结构的至少两个像素单元的遮挡区域与若干第二组块中四像素结构的至少两个像素单元的遮挡区域部分或完全互补。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于格科微电子(上海)有限公司,未经格科微电子(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710606819.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。