[发明专利]透气膜

权利要求书

1.透气膜，其具有下述通式(I)表示的部分结构或下述通式(II)表示的部分结构：

式(I)中，R¹及R²各自独立地为氢原子、碳原子数1～6的烷基、碳原子数2～6的链烯基、碳原子数1～6的烷氧基、碳原子数2～6的链烯基氧基、芳基、或芳基氧基，M¹及M²各自独立地为金属原子，m1为整数，n1及n2各自独立地为1～3的整数，另外，＊表示连接键；

式(II)中，M³为金属原子，n3为1～3的整数，另外，＊表示连接键。

2.如权利要求1所述的透气膜，其中，所述R¹及R²各自独立地为碳原子数1～6的烷基。

3.如权利要求1或2所述的透气膜，其中，所述金属原子为钛、锆、铪、铝、铌、硅、或硼。

4.如权利要求1或2所述的透气膜，其中，二氧化碳气体及氢气的透过性高于氮气的透过性。

5.透气膜形成用组合物，其含有：

以硅氧烷键作为主链、且每一个分子具有至少2个以上羟基的高分子；及

能通过水解而在每一个分子中生成至少2个羟基的金属化合物。

6.如权利要求5所述的透气膜形成用组合物，其中，所述高分子为选自由以硅氧烷键作为主链、且每一个分子具有至少2个以上羟基的直链状高分子、及每一个分子具有至少2个以上羟基的倍半硅氧烷衍生物组成的组中的1种以上。

7.如权利要求5或6所述的透气膜形成用组合物，其中，所述金属化合物为具有烷氧基的金属化合物、具有异氰酸酯基的金属化合物、具有卤素原子的金属化合物、或具有羰基的金属化合物。

8.如权利要求5或6所述的透气膜形成用组合物，其中，所述金属化合物为具有钛、锆、铪、铝、铌、硅、或硼的化合物。

9.如权利要求5或6所述的透气膜形成用组合物，其中，所述高分子为在两个末端具有硅烷醇基的聚二甲基硅氧烷。

10.如权利要求5或6所述的透气膜形成用组合物，其中，相对于组合物的固态成分总量而言，所述金属化合物的含量以金属氧化物换算计为5～20质量％。

11.透气膜的制造方法，所述制造方法中，对权利要求5～10中任一项所述的透气膜形成用组合物进行加热处理，从而制造高分子膜。